[发明专利]白光发光装置及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200710201498.8 申请日: 2007-08-28
公开(公告)号: CN101378103A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 赖志铭 申请(专利权)人: 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600上海市松江区松*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 白光 发光 装置 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体发光领域,尤其是一种白光发光装置及其制作方法。

背景技术

目前,白光发光二极管(White Light Emitting Diode,White LED)作为一种白光发光装置,因其具功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性而被广泛用作LCD显示器背光源、车用光源及通用照明光源,具体可参见Atsushi Okuno等人在2003 IEEE ElectronicComponents and Technology Conference上发表的“Unique White LED PackagingSystems”一文。

如图6所示,典型的白光发光二极管60包括一基座62、一发光二极管芯片64以及一掺杂荧光物质的透明封装体66。所述发光二极管芯片64由所述基座62与透明封装体66将其密封封装。由于发光二极管芯片64的侧面与其正面(也即上表面)均有光线出射,由于侧面出射的光线与正面出射的光线的光强不同且穿透掺杂荧光物质的透明封装体66之光程差异较大,其将使得经荧光物质转换而产生的白光颜色不均匀,导致白光发光二极管的应用受限。

发明内容

下面将以实施例说明一种出光颜色均匀的白光发光装置及其制作方法。

一种白光发光装置,其包括:一发光二极管芯片、荧光物质层及一反射层。发光二极管芯片包括一基底及位于基底上的发光结构,所述发光结构包括一第一型半导体层、一与第一型半导体层导电类型相反的第二型半导体层以及一位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的活性层,第一型半导体层、活性层及第二型半导体层沿远离基底的方向排列,基底上形成有至少一凹槽以暴露出部分第一型半导体层,发光二极管芯片具有多个侧面。荧光物质层配置在发光二极管芯片的基底的至少一凹槽内,用于波长转换以形成白光。反射层形成在发光二极管芯片的多个侧面上以环绕发光二极管芯片。

一种白光发光装置的制作方法,其包括步骤:(a)提供一发光二极管芯片,其包括一基底及一形成在基底上的发光结构,发光结构包括一第一型半导体层、一与第一型半导体层导电类型相反的第二型半导体层以及一位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的活性层,第一型半导体层、活性层及第二型半导体层沿远离基底的方向排列,发光二极管芯片具有多个侧面;(b)在发光二极管芯片的基底上形成至少一凹槽以暴露出部分第一型半导体层;(c)在所述至少一凹槽内形成一荧光物质层;以及(d)在发光二极管芯片的多个侧面上形成一反射层。

相对于现有技术,所述白光发光装置经由在发光二极管芯片的多个侧面形成反射层且将荧光物质层设置在发光二极管芯片的基底之凹槽内;一方面侧面漏光现象被有效抑制,另一方面发光二极管芯片所发出的光被集中到其上表面射出而使得其穿过荧光物质层的光程可大致相同,从而可使得白光发光装置的出光颜色均匀。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种白光发光装置的截面示意图。

图2是图1所示白光发光装置的俯视示意图。

图3是本发明另一实施例提供的一种白光发光装置的俯视示意图。

图4是本发明再一实施例提供的一种白光发光装置的截面示意图。

图5是本发明第二实施例提供的一种白光发光装置的制作流程框图。

图6是一种典型的的白光发光二极管的截面示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。

参见图1至图3,本发明实施例提供的一种白光发光装置100,其包括一个发光二极管芯片120、一个荧光物质层140以及一个反射层160。

所述发光二极管芯片120包括一个基底122、一个n型半导体层124、一个与n型半导体层124导电类型相反的p型半导体层126、以及一位于n型半导体层124与p型半导体层126之间的活性层125。所述n型半导体层124、活性层125及p型半导体层126通常构成一发光结构。所述发光二极管芯片120具有多个侧面127。

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