[发明专利]引线框架及其制造方法

说明书

                        技术领域

本发明涉及一种用于半导体封装的引线框架及其制造方法，具体地讲，本发明涉及一种改善了电镀区域的引线框架及其制造方法。

                        背景技术

在半导体封装工艺中，引线框架与半导体芯片一起构成半导体器件。引线框架除了用于把半导体芯片连接到外部电路之外，还用于支撑半导体芯片。通常，使用灌塑成型方法来形成最后的单个元器件，在该工艺中，由于不能有效地去除粘附的环氧树脂(EMC)封装材料而导致成型后的产品中存在塑封料毛刺。

图1是示出根据现有技术的引线框架的电镀区域的图。图2是示出根据现有技术的引线框架的电镀区域导致的引线框架的最终元器件的外观不良的图。

参照图1和图2，虽然在制造引线框架的过程中，在引线框架的内部引线的引脚处电镀了一层银，但是参照图2可以看出，在后续工艺中，还是有一部分环氧树脂不能被有效地去除，从而导致最终元器件的外观不良。

因此，需要一种能有效地去除毛刺，又不增加成本和工艺步骤的方法。

                    发明内容

本发明的目的在于提供一种引线框架及其制造方法，其中，通过对引线框架的与成型过程中的灌注出口对应的出口区域增加电镀层，来有效地去除后续工艺中存在的毛刺，提高产品的质量。另外，由于根据本发明实施例的引线框架的制造方法是在对引线框架的内部引线的引脚处电镀银的同时对引线框架的出口区域电镀银，所以不会增加整个工艺的步骤，从而不会增加生产成本。

根据本发明的实施例提供了一种引线框架，所述引线框架包括：用来设置半导体芯片的焊盘，所述焊盘位于引线框架的中心；围绕所述焊盘向外延伸的多个引线组，每个引线组包括多条引线，引线用于连接到所述焊盘上的半导体芯片；以及分别位于所述多个引线组中的两个相邻的引线组之间的外端的进口区域和出口区域，所述进口区域和出口区域分别对应于成型过程中的灌注进口和灌注出口；在所述出口区域的表面上电镀有与灌注材料的粘合力小的金属。

在上述引线框架中，当所述灌注材料为环氧树脂时，所述金属为银。

根据本发明的实施例提供了一种引线框架的制造方法，所述引线框架包括：用来设置半导体芯片的焊盘，所述焊盘位于引线框架的中心；围绕所述焊盘向外延伸的多个引线组，每个引线组包括多条引线，引线用于连接到所述焊盘上的半导体芯片；以及分别位于所述多个引线组中的两个相邻的引线组之间的外端的进口区域和出口区域，所述进口区域和出口区域分别对应于成型过程中的灌注进口和灌注出口，所述制造方法包括以下步骤：制备金属基底；对金属基底进行电镀，其中，对引线框架的内部引线的引脚和所述出口区域同时电镀与灌注材料的粘合力小的金属。

                    附图说明

下文中，将通过参照附图来详细描述本发明的示例性实施例，在附图中：

图1是示出根据现有技术的引线框架的电镀区域的图；

图2是示出根据现有技术的引线框架的电镀区域导致的引线框架的最终元器件的外观不良的图；

图3是示出根据本发明的引线框架的电镀区域的图。

                    具体实施方式

下文中，将参照附图来更充分地描述本发明。

目前使用的引线框架的主要成分为铜和合金42(含42％的镍和58％的铁)。通常在引线框架的内部引线的引脚处电镀一层银(Ag)来改善引线框架与环氧树脂的电连接特性和工艺的稳定性。因为铜和合金42与环氧树脂之间的粘合力较大，而环氧树脂与银的粘合力比环氧树脂与铜和合金42的粘合力小，所以也可以通过电镀一层银来改善环氧树脂和引线框架的结合情况。