[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710300184.3 申请日: 2007-12-19
公开(公告)号: CN101206367A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 小糸健夫;片冈真吾;坂井荣治;西川宽 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: G02F1/139 分类号: G02F1/139;G02F1/1333
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置由于小巧、重量轻和功耗低的优点,已经广泛地用作适合各种用途的显示装置。近来,液晶显示装置广泛地用于包括家用大尺寸的电视接收机和小尺寸的移动电话,并且因此对显示装置性质的要求,尤其对其视角的要求越来越高。

考虑到这些,例如,在先所提出的是TN(扭转向列,TwistedNematic)模式和IPS(面内切换,In-Plane Switching)模式(例如,参考专利文献1(JP-B-63-21907))和多畴VA(垂直取向,VerticalAlignment)模式(MVA)(例如,参考专利文献2(JP-A-10-186330))。

在这些模式中,例如,由MVA模式所代表的VA模式是高生产率的,容易获得高对比度和宽的单元间隔的控制余量,这是因为液晶分子相对于基板垂直取向。专利文献3(JP-A-2005-266778)描述了关于在液晶分子上取向控制的方法,该方法使用通过给像素部分提供电介质构件作为用于取向分割(alignment division)的手段,或者对像素的透明电极例如ITO(铟锡氧化物)的部分形成凹槽和切口(notches andslits)所获得的倾斜电场。

用这样的方法,如图10A的示意性平面布局图和图10B的其主要部分截面图所示,液晶分子22可以围绕取向控制元件34例如电介质构件放射状地取向,该取向控制元件提供到子像素50中的像素电极(公共电极)32。这通过给像素40中的像素电极32和像素电极12形成凹槽来实现,由此将像素40分成多个子像素50(51、52和53)。对于每个所产生的子像素50,取向控制元件34设置在位于相对于像素电极12的像素电极32上,处于子像素50的中心。用这样的液晶分子22的放射状取向,减小了方位角方向上的亮度的任何可觉察性变化,由此得到宽视角特性。

然而,对于将像素分成多个子像素,需要在子像素之间建立电连接。因此上述方法尝试在每个子像素的中心部分留下像素电极(公共电极)。在该方法中,在子像素中提供到对向电极的取向控制元件负责控制取向方向。该方法的问题是施加给电连接的部分的取向控制弱。因此,当液晶面板受压时,例如,如图11B的照片实例所示,液晶分子的取向丧失。在图11B的实例中,在不同于受压之前的方向上推动电连接部分中的液晶分子。子像素的取向也因而丧失,因此导致很差的取向。如图11A的照片实例所示,当液晶面板的表面不受压时,观察不到取向紊乱(misalignment)。

就是说,如图10A和10B所示,在像素中,之前要求电连接建立在子像素之间的像素电极(连接部分)之间。然而,在上述方法中,没有提供元件来限定连接部分中的取向,因此取向状态不稳定。例如,当面板的表面上受压,液晶分子的取向一旦无选择地丧失时,取向再也不能返回到以前的情形。

图12示意性地展示了示范性的取向紊乱。液晶分子22所产生的取向紊乱不能原样地恢复,在面板上所观察到的是带有取向紊乱痕迹的异常显示现象。可以通过设置子像素50彼此分开来减少显示异常的程度,但是子像素50之间较长的距离引起另外的透射率降低的问题。

发明内容

当由于液晶面板上受压而导致液晶分子的取向一旦丧失时,例如,该取向不会再返回到以前的情形,因此导致在液晶面板上由于取向紊乱痕迹的异常显示。

因此,希望通过由像素分割来制作子像素以使它们每个用作电气上独立的像素,从而当液晶显示装置的显示表面受压即表面受压时,抑制对液晶分子所产生的取向紊乱的程度。

根据本发明的实施例,提供有一种液晶显示装置,包括:液晶层,设置在彼此相对的基板之间,其中像素被取向分割成多个子像素;和电介质构件,提供在电连接子像素的连接部分上。

在本发明的实施例中,在子像素之间的电连接部分上提供电介质构件能够使子像素彼此电气上独立,从而液晶分子可以稳定地取向。这样,即使液晶分子的取向由于液晶面板受压而丧失,该取向也迅速返回到其以前的状态,因此顺利地解决当液晶面板表面受压时所引起的由于痕迹的差的显示的问题。

根据本发明的另一个实施例,提供有一种液晶显示装置的制造方法,该液晶显示装置包括设置在彼此相对的基板之间的液晶层,并且其中像素被取向分割成多个子像素。该制造方法包括在电连接子像素的连接部分上形成电介质构件的步骤。

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