[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200710300684.7 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101207053A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 佐藤仁志;井上英俊 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/18;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，此方法包含步骤：
a)制备一种类型的ASIC芯片；
b)制备彼此不同的存储芯片；
c)制备共用的电路基板；
d)制备包括布线图的底座端子芯片，所述布线图具有存储芯片端子和外部连接端子；
e)通过倒装片结合的方式把所述ASIC芯片安装到所述共用的电路基板上；
f)把所述底座端子芯片固定在所述ASIC芯片上；
g)把存储芯片之一安装在所述底座端子芯片上；
h)使用第一导线把所述存储芯片之一上的端子电连接到所述存储芯片端子；以及
i)使用第二导线把所述外部连接端子电连接到所述共用的电路基板上的端子。
2.一种制造半导体器件的方法，此方法包含步骤：
a)制备一种类型的ASIC芯片；
b)制备多个存储芯片；
c)制备共用的电路基板；
d)制备包括布线图的底座端子芯片，所述布线图具有存储芯片端子和外部连接端子；
e)通过倒装片结合的方式把所述ASIC芯片安装到所述共用的电路基板上；
f)把所述底座端子芯片固定在所述ASIC芯片上；
g)把所述多个存储芯片安装在所述底座端子芯片上；
h)使用第一导线把所述多个存储芯片上的端子电连接到所述存储芯片端子；以及
i)使用第二导线把所述外部连接端子电连接到所述共用的电路基板上的端子。
3.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中步骤g)包含：
经由隔离物堆叠存储芯片。
4.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中步骤g)包含：
以组合方式提供存储芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
