[发明专利]显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)典型地包括形成在第一基板上的多个薄膜晶体管(TFT)，每个薄膜晶体管都具有像素电极；包括滤色器及公共电极的第二基板；以及介于第一和第二基板之间的液晶层。LCD通过对两基板施加电压，以对液晶取向而调整光透射率，来显示图像。

这样的LCD的TFT典型地利用非晶硅或多晶硅形成为半导体层。用非晶硅制成的TFT的优点是非晶硅膜的均匀度出色并且因此TFT的特性一致。然而，因为非晶硅TFT具有低电荷迁移率，元件响应时间长。因此，不利于在高分辨率显示面板中使用非晶硅TFT，或用于驱动需要短响应时间的栅或数据驱动器的驱动元件。

然而，因为用多晶硅制成的TFT具有高电荷迁移率，有利于将这种类型的TFT用于需要短响应时间的高分辨率LCD面板，以及显示面板的周围驱动电路。

就数字集成的发展而言，存在许多尝试以在LCD中实现用于显示图像的附加功能。例如，期望对LCD添加自动亮度调节功能、触摸屏功能、扫描功能以及其他特性。为了实现这些附加功能，需要在LCD面板中提供光接收元件，诸如光电二极管。然而，这种光接收元件通常设置在TFT基板中，在其中电路可以容易地构建。

然而，因为在现有技术中，难以将TFT基板与光电二极管一起制造，前述附加功能是以这样的方式实现，从而仅用于连接的电路形成在TFT基板上，然后将单独制造的光电二极管安装在TFT基板的电路上。因此，存在由于制造和安装光电二极管的工艺，制造成本增加的问题。另一个缺点是难以制造薄LCD。

发明内容

因此，本发明被构思以解决现有技术中的前述问题。本发明的一个目的是提供一种显示器，其中当利用多晶硅薄膜形成薄膜晶体管时，周边电路和光电二极管一起形成而不用附加的工艺，由此降低制造成本并且有利于制造薄的LCD，本发明还提供制造该显示器的方法。

为实现这些目的，根据本发明的一个方面，提供一种显示器，其包括面板，其具有被定义于其中的显示图像的显示区域以及周边区域；多个薄膜晶体管(TFT)，形成在显示区域中；p型和n型TFT，形成在周边区域中；以及至少一光电二极管，在显示区域或周边区域中形成为水平结构。

TFT优选包括由低温多晶硅薄膜形成的有源层。

具有p型和n型TFT的至少之一的驱动电路可以形成在周边区域中。此时，光电二极管优选包括由低温多晶硅薄膜形成的有源层。

优选地，光电二极管的有源层包括在形成p型TFT时形成的p型区域；在形成n型TFT时形成的n型区域；以及形成在p型和n型区域之间的本征区域。

面板可以包括第一基板，滤色器在第一基板上以点阵形状设置；第二基板，多个TFT在第二基板上以点阵形状设置。

根据本发明的又一方面，提供一种制造显示器的方法，包括的步骤为：提供其中定义显示区域和周边区域的基板；在显示区域中以点阵形状形成多个TFT；在周边区域中形成p型和n型TFT；以及在显示或周边区域中形成至少一个光电二极管，其中光电二极管与p型和n型TFT同时一起形成。

形成光电二极管的步骤可以包括：在基板顶部形成用于p型TFT的有源层，用于n型TFT的有源层，以及用于光电二极管的有源层；在将p型离子注入用于p型TFT的有源层的同时，将p型离子注入用于光电二极管的有源层的一侧区域中，用于光电二极管的有源层的中间区域介于该一侧区域和另一侧区域之间；以及在将n型离子注入用于n型TFT的有源层的同时，将n型离子注入用于光电二极管的有源层的该另一侧区域中，用于光电二极管的有源层的中间区域介于该一侧区域和该另一侧区域之间。

用于p型TFT的有源层，n型TFT的有源层和光电二极管的有源层的至少之一优选由低温多晶硅薄膜形成。

光电二极管形成为水平结构。

根据本发明的再一方面，提供一种制造显示器的方法，包括的步骤为：在基板顶部形成用于p型TFT的有源层、用于n型TFT的有源层、以及用于光电二极管的有源层；在用于p型TFT的有源层的两侧区域形成p型区域，该有源层的中间区域介于两侧区域之间，以及在用于光电二极管的有源层的一侧区域形成p型区域，有源层的中间区域介于该一侧区域和该另一侧区域之间；以及在用于n型TFT的有源层的两侧区域形成n型区域，有源层的中间区域介于两侧区域之间，以及在用于光电二极管的有源层的另一侧区域形成n型区域，该有源层的中间区域介于一侧区域和另一侧区域之间。

该方法还包括在用于p型TFT、n型TFT和光电二极管的有源层的至少之一的中间区域的两侧，形成轻掺杂漏极的步骤。