[发明专利]非易失性闪存的操作方法

权利要求书

1.一种编程存储单元的方法，其在第一状态具有最大起始电压，在多数个状态中的其中之一具有相对于该最大起始电压的较高的目标临界电压，其中在该最大起始电压和该目标临界电压之间具有线索电位，该存储单元有漏极区，该方法包括：

(a)利用具有第一宽度的编程脉冲，对该存储单元施加漏极电压；

(b)判断该存储单元是否已达到该线索临界电压；以及

(c)若是该存储单元达到该线索临界电压，则将该编程脉冲宽度由第一脉冲宽度改变为第二脉冲宽度，该第二脉冲宽度小于该第一脉冲宽度。

2.一种如权利要求1所述的编程存储单元的方法，还包括：

(d)在步骤(b)之后，若是该存储单元还没有达到该线索起始电压，则增加该漏极电压，并以该增加的漏极电压由步骤(a)开始重复进行之。

3.一种如权利要求1所述的编程存储单元的方法，步骤(c)还包括增加该漏极电压，并施加具有第二脉冲宽度的编程脉冲。

4.一种如权利要求3所述的编程存储单元的方法，还包括：

(e)在步骤(c)之后，判断该存储单元是否已经达到该目标起始电压；以及

(f)若是该存储单元未达到该目标起始电压，则增加该漏极电压，施加具有该第二脉冲宽度的编程脉冲，以及由该步骤(e)开始重复进行之。

5.一种如权利要求4所述的编程存储单元的方法，还包括：

(g)在步骤(e)之后，若是该存储单元达到该目标起始电压，则完成该存储单元的编程。