[发明专利]能够降低耦合效应的存储单元编程方法

权利要求书

1.一种存储单元编程方法，用于在具有多个阈值电压分布的存储单元中编入n位数据，该方法包括：

第一至第n编程操作，编入所述n位数据的第一至第n位，所述第一至第n编程操作是使用所述多个阈值电压分布来执行的，并且是被顺序地执行的；其中：

在所述第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的差小于或等于在所述第一至第n-1编程操作中使用的阈值电压分布之间的差中的至少一个。

2.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，在所述第一至第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的差顺序地降低。

3.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，在第i编程操作中使用的阈值电压分布之间的差小于或等于在第j编程操作中使用的阈值电压分布之间的差，其中，

i是在2和n之间的自然数，

j是小于i的自然数。

4.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，在所述第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的差是在所述第一至第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的差中的最小的差。

5.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，在所述第n编程操作中的阈值电压分布之间的差小于在所述第一至第n-1编程操作中使用的阈值电压分布之间的差中的至少一个。

6.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，在所述第一编程操作中使用的阈值电压分布之间的差大于或等于在所述第二至第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的差。

7.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，在所述第一编程操作中使用的阈值电压分布之间的差是在所述第一至第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的差中的最大的差。

8.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，所述存储单元是存储n位数据的非易失性存储单元。

9.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，所述存储单元是存储n位数据的多层闪速存储单元。

10.如权利要求1所述的存储单元编程方法，其中，所述存储单元具有2ⁿ个阈值电压分布，根据阈值电压将所述2ⁿ个阈值电压分布分组。

11.一种存储单元编程方法，用于在具有2ⁿ个阈值电压分布的存储单元中编入n位数据，该方法包括：

第一编程操作，使用第一阈值电压分布和第1/2×2ⁿ+1阈值电压分布来编入所述数据的第一位；

第二编程操作，使用所述第一阈值电压分布、第1/2²×2ⁿ+1阈值电压分布、第2/2²×2ⁿ+1阈值电压分布和第3/2²×2ⁿ+1阈值电压分布来编入所述数据的第二位；

第i编程操作，使用在所述第一阈值电压分布和第(2¹-1)/2ⁱ×2ⁿ+1阈值电压分布之间的每个阈值电压分布来编入所述数据的第i位，其中i是大于2且小于n的自然数；

第n编程操作，使用在所述第一阈值电压分布和第(2ⁿ-1)/2ⁿ×2ⁿ+1阈值电压分布之间的每个阈值电压分布来编入所述数据的第n位，其中，

所述第一至第2ⁿ阈值电压分布的阈值电压顺序地增加。