[发明专利]氟掺杂氧化锡透明导电薄膜玻璃及其制造方法

权利要求书

1.一种氟掺杂氧化锡透明导电薄膜玻璃，其包括依下列次序堆叠 的玻璃层、介电阻挡层、功能层、金属电极层、塑料中间层和玻璃层， 其中所述功能层包括F/Sn摩尔比为0.5-2且(200)晶面和(301)晶 面之间比例为1∶4至1∶1的氟掺杂氧化锡透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的氟掺杂氧化锡透明导电薄膜玻璃，其中 所述氟掺杂氧化锡透明导电薄膜的厚度为0.1-1.3μm。

3.根据权利要求1所述的氟掺杂氧化锡透明导电薄膜玻璃，其中 所述介电阻挡层由SiO₂单独形成，或由SiO₂和选自Ti、Zr和Al的过 渡金属的氧化物的混合物形成，且其厚度为5-200nm。

4.根据权利要求1所述的氟掺杂氧化锡透明导电薄膜玻璃，其中 所述氟掺杂氧化锡透明导电薄膜的电阻率为3×10^-4至12×10^-4Ω·cm，薄 层电阻为3至12Ω/sq，透射率为70-85％，在8V下的升温速率为3至 5℃/分钟。

5.一种用于除雾用途的氟掺杂氧化锡透明导电薄膜玻璃的制造方 法，所述氟掺杂氧化锡透明导电薄膜玻璃包括依下列次序堆叠的玻璃 层、介电阻挡层、功能层、金属电极层、塑料中间层和玻璃层，所述 方法包括：

通过将氧化锡前体和氟前体溶解在去离子水中形成前体溶液；和

在空气气氛下在400-550℃的温度范围内将所述前体溶液喷涂在 所述介电阻挡层的上表面上，从而形成F/Sn摩尔比为0.5-2且(200) 晶面和(301)晶面之间比例为1∶4至1∶1的氟掺杂氧化锡透明导电薄 膜作为所述功能层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述氧化锡前体由选自 SnCl₄·5H₂O、SnCl₂和SnCl₂·2H₂O的任意一种形成。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述氟前体由选自NH₄F、HF 和乙酰氟的任意一种形成。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述介电阻挡层由选自SiO₂、 TiO₂和ZrO₂的任意一种形成，且在200-500℃的温度范围内在所述玻 璃层的上表面上形成。