[发明专利]垂直型CMOS图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在具有多个光电二极管的半导体衬底之上形成具有多个金属线的金属间介电层；

在金属间介电层之上形成钝化氧化物层；

在与多个金属线相对应的钝化氧化物层部分之上形成第一光刻胶图案；

使用第一光刻胶图案通过湿式蚀刻工艺形成钝化氧化物层的倾斜部分；

在与具有多个金属线的金属间介电层的部分相对应的钝化氧化物层的一部分之上并且使用钝化氧化物层的倾斜部分作为对准键形成暗屏蔽层；并且随后

在包括暗屏蔽层的半导体衬底之上形成氮化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成钝化氧化物层包括：

在金属间介电层之上沉积具有低介电常数的钝化氧化物层；以及

在钝化氧化物层上执行化学机械抛光。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，钝化氧化物层形成为足够抑制暗屏蔽层和多个金属线之间的寄生电容的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，钝化氧化物层的厚度在5000到6000之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，暗屏蔽层包括双层结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，暗屏蔽层包括含有Ti层和TiN层的双层结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，Ti层是通过使用Ti作为靶的PVD工艺在钝化氧化物层之上形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，PVD工艺至少包括自离子化等离子体溅射和中空阴极磁控管溅射中的一种。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，Ti层具有至少100um的厚度。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，TiN层是通过使用Ti作为靶的PVD工艺并且随后将氮气提供到工艺腔室而在Ti之上形成。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，PVD工艺至少包括自离子化等离子体溅射和中空阴极磁控管溅射中的一种。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，TiN层具有大约300um的厚度。

13.一种装置，包括：

在半导体衬底之上形成的具有多个金属线的金属间介电层；

在金属间介电层之上形成的钝化氧化物层，其中钝化氧化物层的最上表面包括在下部和与具有多个金属线的金属间介电层的部分相对应的上部之间的倾斜部分；

在钝化氧化物层的上部之上形成的暗屏蔽层；以及

在包括暗屏蔽层的半导体衬底之上形成的氮化物层。

14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，钝化氧化物层的厚度在5000到6000之间。

15.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，钝化氧化物层的倾斜部分包括对准键。

16.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，暗屏蔽层包括多层结构。

17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，多层结构包括在钝化氧化物层之上形成的Ti层和在Ti层之上形成的TiN层。

18.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，Ti层具有至少100um的厚度。

19.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，TiN层具有大约300um的厚度。

20.一种方法，包括：

在具有多个光电二极管的半导体衬底之上形成具有多个金属线的金属间介电层；

在金属间介电层之上形成钝化氧化物层，其中钝化氧化物层的最上表面包括在下部和与具有多个金属线的金属间介电层的部分相对应的上部之间的倾斜部分；

在钝化氧化物层的上部之上形成暗屏蔽层；以及随后在暗屏蔽层之上形成氮化物层。