[发明专利]具有行波电极结构的光电子器件及行波电极结构有效
| 申请号： | 200710302142.3 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101183181A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 于弋川 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 518129广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 行波 电极 结构 光电子 器件 | ||
1.一种包含行波电极结构的光电子器件，其特征在于，所述行波电极由光波导结构之上的行波电极和偏离光波导结构之上的行波电极组成，通过所述光波导结构之上的行波电极和偏离光波导结构之上的行波电极的组合使得所述光电子器件的特征阻抗与标准阻抗之差小于预设值。
2.如权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述光波导结构之上的行波电极包括2个或2个以上的分段时，各分段长度相同或不同。
3.如权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述偏离光波导结构之上的行波电极包括2个或2个以上的分段时，各分段长度相同或不同。
4.如权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述偏离光波导结构之上的行波电极包括的分段为对称或非对称形状。
5.如权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，还包括信号激励源，所述信号激励源加在偏离光波导结构之上的行波电极上，或加在所述光波导之上的行波电极上。
6.如权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述标准阻抗为50Ω。
7.一种行波电极结构，其特征在于，所述行波电极由在光波导结构之上的行波电极和偏离光波导结构之上的行波电极组成，通过所述光波导结构之上的行波电极和偏离光波导结构之上的行波电极的组合使得所述行波电极的等效特征阻抗与标准阻抗之差小于预设值。
8.如权利要求7所述的行波电极结构，其特征在于，所述光波导结构之上的行波电极包括2个或2个以上的分段时，各分段长度相同或不同。
9.如权利要求7所述的行波电极结构，其特征在于，所述偏离光波导结构之上的行波电极包括2个或2个以上的分段时，各分段长度相同或不同。
10.如权利要求7所述的行波电极结构，其特征在于，所述偏离光波导结构之上的行波电极包括的分段为对称或非对称形状。
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