[发明专利]硬掩膜组合物和形成材料层的方法及半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种含芳环的聚合物，该聚合物如式1所示：

其中，G选自和R₁选自-CH₂-、和R₂和R₃各自独立地选自氢、羟基、C₁-C₁₀的烷基、C₆-C₁₀的芳基、烯丙基和卤素，并且1≤n＜750。

2.根据权利要求1所述的含芳环的聚合物，其中，该聚合物的重均分子量为1000-30000。

3.一种含芳环的聚合物，该聚合物如式2所示：

其中，各个G选自和各个R₁选自-CH₂-、和，各个R₂和R₂各自独立地选自氢、羟基、C₁-C₁₀的烷基、C₆-C₁₀的芳基、烯丙基和卤素，1≤n＜750，并且2≤m+n＜750。

4.根据权利要求3所述的含芳环的聚合物，其中，该聚合物的重均分子量为1000-30000。

5.一种含芳环的聚合物，其特征在于，该聚合物如式3所示：

其中，G选自和各个R₁选自-CH₂-、和各个R₂选自氢、羟基、C₁-C₁₀的烷基、C₆-C₁₀的芳基、烯丙基和卤素，1≤n＜750，并且2≤m+n＜750。

6.根据权利要求5所述的含芳环的聚合物，其中，该聚合物的重均分子量为1000-30000。

7.一种增透硬掩膜组合物，该组合物含有含芳环的聚合物和有机溶剂，

所述含芳环的聚合物如式1、2和3中的任意一个所示：

其中，G选自和R₁选自-CH₂-、和R₂和R₃各自独立地选自氢、羟基、C₁-C₁₀的烷基、C₆-C₁₀的芳基、烯丙基和卤素，并且1≤n＜750；

其中，G、R₁、R₂、R₃和n如上定义，并且2≤m+n＜750；

其中，G、R₁、R₂、m和n如上定义。

8.根据权利要求7所述的增透硬掩膜组合物，其中，以100重量份的有机溶剂为基准，所述含芳环的聚合物的含量为1-30重量份。

9.根据权利要求7所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述含芳环的聚合物的重均分子量为1000-30000。

10.根据权利要求7所述的增透硬掩膜组合物，其中，该组合物还含有交联剂和催化剂。

11.根据权利要求10所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述硬掩膜组合物含有1-20重量％的含芳环的聚合物、75-98.8重量％的有机溶剂、0.1-5重量％的交联剂和0.001-0.05重量％的催化剂。

12.根据权利要求10所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述催化剂选自由包括NH₄OH和NR₄OH在内的氢氧化铵、2-甲基咪唑、一水合对甲苯磺酸、对甲苯磺酸吡啶鎓、2，4，4，6-四溴环己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基苯甲基甲苯磺酸酯、以及有机磺酸的烃基酯所组成的组中。

13.根据权利要求10所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述交联剂选自由醚化氨基树脂、N-甲氧基甲基-三聚氰胺树脂、N-丁氧基甲基-三聚氰胺树脂、甲醇醚化尿素树脂、丁醇醚化尿素树脂、甘脲衍生物、2，6-二(羟甲基)-对甲酚、二环氧化合物、以及它们的混合物所组成的组中。