[发明专利]制造快闪存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造快闪存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成第一绝缘层和第一导电层；

蚀刻所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述半导体衬底，以形成沟槽；

在其上形成有所述沟槽的区域上形成隔离层；

形成与所述第一导电层接触的第二导电层；和

图案化所述第二导电层以除去形成在所述隔离层上的所述第二导电层。

2.权利要求1的制造快闪存储器件的方法，还包括以下步骤：

在所述图案化的第二导电层和所述隔离层上形成介电层；和

在所述介电层上形成第三导电层。

3.权利要求1的制造快闪存储器件的方法，包括形成厚度为的所述第一导电层。

4.权利要求1的制造快闪存储器件的方法，其中形成所述沟槽的步骤包括以下步骤：

在所述第一导电层上形成掩模层图案；

根据所述掩模层图案来图案化所述第一导电层和所述第一绝缘层；和

根据所述掩模层图案除去所述半导体衬底的一部分。

5.权利要求4的制造快闪存储器件的方法，其中所述掩模层图案具有蚀刻停止层和氧化物层的堆叠结构。

6.权利要求5的制造快闪存储器件的方法，其中所述蚀刻停止层由氮化物层形成。

7.权利要求1的制造快闪存储器件的方法，其中图案化所述第二导电层的步骤包括以下步骤：

在所述第二导电层上形成光刻胶层图案；和

根据所述光刻胶层图案来蚀刻所述第二导电层。