[发明专利]等离子体辅助有机薄膜沉积装置

权利要求书

1.一种等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，包含：

一等离子体产生室，用以对该等离子体产生室内的可聚合材料气体进行热裂解；

一沉积室，与该等离子体产生室连通且与该等离子体产生室分离设置，用以接收该已热裂解的可聚合材料气体，该沉积室包括一基板装置，该基板装置具有一可旋转的基板，该基板装置可供该热裂解的可聚合材料气体沉积于其上以形成有机薄膜；

其中，该等离子体产生室具有一出口端，该出口端设有一导流装置，该导流装置为一锥状器件，该锥状器件具有一内缩端以及一扩张端，该内缩端朝向该等离子体产生室，该扩张端朝向该沉积室，并且该出口端可供该热裂解的可聚合材料气体通过并流入该沉积室，该出口端的截面可呈圆形、长条形或任意几何形状。

2.根据权利要求1所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该等离子体产生室连通一蒸发室，该蒸发室可蒸发可聚合材料为可聚合材料气体。

3.根据权利要求1所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该等离子体产生室连通一工作气体进气装置，该工作气体进气装置用以将等离子体热裂解所需的工作气体输入该等离子体产生室。

4.根据权利要求1所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该等离子体产生室连接一射频发生器，由该射频发生器供给等离子体源，使等离子体源输入该等离子体产生室。

5.根据权利要求1所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该沉积室的基板装置包含：

一支撑器件，其底部用以设置成型有机薄膜的该可旋转的基板，该基板距离该等离子体产生室与该沉积室的连通处一定距离；

一旋转装置，与该支撑器件连接，用以驱动该支撑器件该支撑器件旋转。

6.根据权利要求1所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该沉积室连通一泵装置，该泵装置用以对该沉积室及该等离子体产生室产生抽吸力。

7.根据权利要求1所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该泵装置与该沉积室之间设有一冷却阻却器，用以捕捉该沉积室内残留的未成膜的可聚合材料气体。

8.根据权利要求1所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该可聚合材料可为聚对二甲苯、对二甲苯或聚对亚苯基二亚甲基。

9.根据权利要求2所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该蒸发室与该等离子体产生室之间设有一质量流率控制器，用以控制该蒸发室所蒸发的可聚合材料气体流入该等离子体产生室的流率。

10.根据权利要求9所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该蒸发室与该质量流率控制器之间设有一裂解室，该裂解室可接收该蒸发室所蒸发可聚合材料气体，并对该可聚合材料气体进行早期裂解。

11.根据权利要求2所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该蒸发室内的工作温度约为摄氏130～170度。

12.根据权利要求1所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该导流装置用以调整该可聚合材料气体的气流角度。

13.根据权利要求3所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该工作气体包括氩、氧气及氮气。

14.根据权利要求3所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该进气装置为一陶瓷管。

15.根据权利要求5所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，该旋转装置包含：

一转轴，连接该支撑器件；

一驱动马达，用以驱动该转轴旋转。

16.根据权利要求7所述的等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其特征在于，冷却阻却器为一冷冻阱。