[发明专利]一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种深沟槽大功率N型MOS器件，在俯视平面上，中心区由并联的单胞组成阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构；所述阵列内单胞通过沟槽导电多晶硅而并联成整体，终端保护结构由位于内圈的至少一个保护环和位于外圈的一个截止环组成，其特征在于：

P阱层存在于整个终端保护区域；

在截面上保护环采用沟槽结构，沟槽位于轻掺杂P阱层，其深度伸入P阱层下方的轻掺杂N型外延层，沟槽壁表面生长有绝缘栅氧化层，沟槽内淀积有导电多晶硅，沟槽顶部的槽口由绝缘介质覆盖，以此构成沟槽型导电多晶硅浮置场板结构的保护环；

在截面上截止环采用沟槽结构，该沟槽宽度大于单胞的沟槽宽度，沟槽位于轻掺杂P阱层，其深度伸入P阱层下方的轻掺杂N型外延层，沟槽壁表面生长有绝缘栅氧化层，沟槽内淀积有导电多晶硅，沟槽顶部设置金属连线，沟槽外侧为P阱层或者上方带N+注入区域的P阱层，该金属连线将沟槽内的导电多晶硅与沟槽外侧的P阱层连接成等电位，或者将沟槽内的导电多晶硅同时与沟槽外侧的N+注入区及P阱层连接成等电位，沟槽顶部的槽口由绝缘介质覆盖，以此构成沟槽型导电多晶硅的截止环。

2.根据权利要求1所述的深沟槽大功率N型MOS器件，其特征在于：所述单胞阵列的沟槽导电多晶硅向保护环与单胞阵列之间的区域延伸，延伸端为一个直径大于沟槽宽度的圆形引线终端，或者边长大于沟槽宽度的多边形引线终端，栅电极引线孔开设在该引线终端位置上，使金属连线直接与沟槽导电多晶硅相连。

3.根据权利要求2所述的深沟槽大功率N型MOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，硬掩膜生长；

第二步，深沟槽刻蚀；

第三步，栅氧化/多晶淀积；

第四步，多晶硅刻蚀；

第五步，P阱层注入；

第六步，源极光刻；

第七步，层间介质淀积；

第八步，孔光刻/刻蚀；

第九步，铝金属淀积/光刻/刻蚀；

第十步，钝化层淀积/光刻/刻蚀。