[发明专利]一种天线太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 200710304104.1 | 申请日: | 2007-12-25 |
公开(公告)号: | CN101211991A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 高杰 | 申请(专利权)人: | 高杰 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/042;H01L31/18 |
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地址: | 265711山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 天线 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种天线太阳能电池,进一步地说,是涉及一种利用宽频接收天线实现光电转化的太阳能电池及其制备方法。
背景技术
太阳能电池是实现光能向电能转化的装置,其从诞生到今天已经有50多年历史。从最早出现的硅太阳能电池,到近年来各种薄膜太阳能电池等,原理上多是利用了半导体的光电效应。具体而言,利用光的粒子性,通过太阳光粒子撞击半导体实现正负电荷分离。利用这种“撞击”效应的太阳能电池光电转化效率比较低,单结电池理论效率一般低于33%。低效率、高成本是目前制约太阳能电池普及的根本原因。
光具有波粒二象性,太阳光也是电磁波,遍及紫外、红外和可见光,波长主要分布在290~2300nm之间,且各向极化。设计一种利用光波动性、通过某种天线机制吸收转化太阳光能的太阳能电池是一种新思路。根据天线原理,阻抗匹配的情况下,天线可以实现高效的能量转化。
目前国际上还没有出现真正意义的天线太阳能电池,但已有人提出过类似观点。Bailey最早提出了使用天线收集太阳能的思想,并给出了基本模型(BaileyR.L.(1972)A proposed new concept for a solar energy converter.Journal of Engineering for powerApril,73):其基本模型中低通滤波器用于整流器与天线之间的匹配调节,而直流滤波的作用是调节脉动式直流电,使之更加平缓,但Bailey未给出详尽的设计方案。在解决高效接收太阳光的问题上,Kraus等给出的方案比较有代表性(KrausJ.D.(1988).Antennas,2nd Ed,McGraw-Hill,New York),其天线系统由振子天线、整流器、传输线、电极等构成。Marks在专利中也进行了详细的阐述和计算(Marks,United States Patent,App.No.330791)。但由于纳米科技发展所限以及趋肤损耗等设计难点尚未解决,长期以来有效的天线太阳能电池一直未曾出现。不过近年来一系列实验进展不断证实了发展天线太阳能电池的可行性。Christophe Fumeaux等人实验上证实了红外波段符合传统天线理论的天线效应(Christophe Fumeaux etc.Infrared Physics&Technology 41(2000)271-281,p.271.)。Y.Wang等人发现了碳纳米管阵列中的天线效应(Y.Wang.etc.Appl.Phys.Lett Vol.85,No.13,27 September 2004,p.2607.),通过实验证实纳米级天线同样满足经典天线理论中半波谐振等规律,但没能够进一步往能量利用的方向发展。Lin首次报道了人工构造的天线结构吸收光波的实验现象(Guang H.Lin.etc.J.Appl.Phys.80(1),1 July 1996,p.565.)。Avier Alda等人阐述了将光天线应用于传感器上的思想(Javier Alda etc.Nanotechnology 16(2005)S230-S234,S230-S234.)。
在电磁波电场分量的激发下,天线向传输线输出交流电(AC),经整流器变成脉动式直流输出(DC),直流电极与外接匹配负载相连,最终实现能量的转移。但考虑到极高频交流电经过传输线上由于趋肤效应等原因能量将很快损失殆尽,按照传统思路的设计实际上是不可行的。JavierAlda也指出高频交流电经过传输线的巨大损耗是设计这种天线太阳能电池目前遇到的一个突出难点(JavierAlda etc.The International Society for Optical ngineering,10.1117/2.1200602.0131)。
就目前技术发展情况来看,设计这种天线太阳能电池需要克服的主要难点有:1在电池任意接收点尽可能接收遍布太阳光谱各波段的、非极化的入射光波;2天线将自由传播的光波转变成导行的高频交流电,需要避免因趋肤效应等因素造成的巨大能量损失;3选用具有相应响应频率的整流器并与天线系统融合;4,匹配天线和整流二极管尺度为纳米量级,需要解决这种精细结构的加工问题。
发明内容:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的