[发明专利]二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器

权利要求书

1.一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，该存储器包括：

一上导电电极；

一下导电电极；

一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子，该离子注入的浓度为1E8cm^-2至1E15cm^-2，且该二元过渡族金属氧化物薄膜的厚度为20至200nm。

2.根据权利要求1所述的基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，所述上导电电极和下导电电极采用金属。

3.根据权利要求1所述的基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，所述二元过渡族金属氧化物薄膜采用过渡族金属的二元氧化物氧化锆、氧化镍、氧化钛、氧化铪、氧化钴、氧化钒、氧化铌或氧化铜。

4.根据权利要求1所述的基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，所述在二元过渡族金属氧化物薄膜中注入的离子包括金属Zr、Hf、V、Ni、Fe、Co、Mn、Cr、W、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Sn，或者非金属O、P、B、Ge、Si。