[发明专利]一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺有效
| 申请号： | 200710304344.1 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101217170A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 励旭东;宋爽;勾宪芳;吴鑫;孙秀菊 | 申请（专利权）人： | 北京市太阳能研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐宁 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：
(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；
(2)将扩散炉温度升至870～920℃，并将硅片放置10～30分钟进行再分布；
(3)进行第二次扩散：扩散温度在870～920℃，时间为1～10分钟；
(4)扩散过程结束。扩散炉降温，并将硅片取出。
2.如权利要求1所述的一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于：通过调节扩散浓度，调节横向电阻以及扩散区和栅线间的接触电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
