[发明专利]阵列基板和具有该阵列基板的显示面板有效
申请号: | 200710305151.8 | 申请日: | 2007-09-04 |
公开(公告)号: | CN101202291A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 许承铉;朴旻昱;宋荣九;洪权三 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/136;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 具有 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基底基板;
栅极线,设置在所述基底基板上并在第一方向上延伸;
数据线,与所述栅极线绝缘并与所述栅极线交叉,且在第二方向上延伸;
开关部分,连接在所述栅极线和所述数据线之间;以及
像素电极,连接到所述开关部分,
所述像素电极包括:
第一次像素电极,与所述数据线部分地交叠;以及
第二次像素电极,与所述第一次像素电极绝缘,并且在平面图中与所述数据线基本上分开,以及
其中开口设置在所述第一次像素电极和所述第二次像素电极之间,并且在平面图中与所述数据线分开。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其中所述像素电极包括:
与所述数据线不平行的至少一个倾斜部分;以及
伸直部分,基本上平行于所述数据线。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其中对应于所述伸直部分的所述开口的一部分基本上平行于所述数据线。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其中对应于所述伸直部分的所述开口的所述部分与所述数据线之间的距离在大约0.1微米到大约10微米的范围内。
5.如权利要求3所述的阵列基板,其中所述像素电极具有关于所述数据线在逆时针方向旋转约90度的W形状,并且进一步包括:
第一弯曲部分,
第二弯曲部分,和
第三弯曲部分,
其中所述第一弯曲部分和所述第二弯曲部分在所述第一方向上弯曲,所述第三弯曲部分设置在所述第一弯曲部分和所述第二弯曲部分之间,并且在与所述第一方向相反的第三方向上弯曲。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其中所述第三弯曲部分包括所述伸直部分。
7.如权利要求3所述的阵列基板,其中所述伸直部分的外侧边和所述伸直部分的内侧边具有锯齿形状,所述伸直部分的外侧边和所述伸直部分的内侧边限定了对应于所述伸直部分的所述开口的所述部分。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其中所述外侧边和所述内侧边中的每一个包括:
多个第一倾斜边,每个所述第一倾斜边关于所述数据线倾斜约45度;以及
多个第二倾斜边,每个所述第二倾斜边关于所述数据线倾斜约135度。
9.如权利要求1所述的阵列基板,其中所述开口包括:
至少一个第一开口,关于所述数据线倾斜并在所述倾斜方向上延伸;
至少一个第二开口,在所述第一方向上延伸。
10.如权利要求9所述的阵列基板,其中所述第二开口与所述栅极线分开。
11.如权利要求1所述的阵列基板,其中所述第一次像素电极接收第一像素电压,所述第二次像素电极在与所述第一方向相反的第三方向上弯曲以具有V形形状并接收比所述第一像素电压更高的第二像素电压。
12.如权利要求11所述的阵列基板,其中所述栅极线包括:
主栅极线,在对应于行的像素被激活的1H期间的前H/2期间接收第一栅极信号;以及
次栅极线,在所述1H期间的后H/2期间接收第二栅极信号。
13.如权利要求12所述的阵列基板,其中所述开关部分包括:
第一薄膜晶体管,连接到所述数据线和所述主栅极线,响应于所述第一栅极信号在所述前H/2期间将施加到所述数据线的第二像素电压输出到所述第二像素电极;以及
第二薄膜晶体管,连接到所述次栅极线和所述数据线,响应于所述第二栅极信号在所述后H/2期间将施加到所述数据线的第一像素电压输出到所述第一像素电极。
14.如权利要求1所述的阵列基板,进一步包括:
存储线,设置在所述基底基板上,并在基本上平行于所述栅极线的所述第一方向上延伸;以及
存储电极,从所述存储线部分地延伸并且面对所述像素电极;以及
其中所述数据线与所述存储线绝缘并与其交叉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的