[发明专利]具有非完全粘接区域的半导体激光装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 200710305152.2 申请日: 2007-10-08
公开(公告)号: CN101227060A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 国政文枝 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/00;H01L21/60;H01L23/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 具有 完全 区域 半导体 激光 装置 电子设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体激光装置和电子设备。

背景技术

以往,在半导体激光装置中,为了防止因激光器工作时半导体激光元件的温度上升所导致的发光效率降低以及半导体激光元件的破损等,使用散热器。即,在半导体激光元件的下面通过焊料层粘接散热器,使工作时产生的热从散热器有效地进行散热。

但是,由于半导体激光元件和散热器的热膨胀系数不同,因此会产生应力,在半导体激光元件中产生内部应力。即,存在构成半导体激光元件的半导体层产生变形的问题。

对于这个问题,现有技术的半导体激光装置(日本特许第3461632号公报),利用半导体激光元件的电极形状减小半导体激光元件内部应力。

如图3的剖面图所示,该现有技术的半导体激光装置1具有:半导体激光元件2和焊料层4以及散热器5。半导体激光元件2通过焊料层4固定在散热器5上。散热器5具有:散热器部件8、在该散热器部件8的厚度方向的一方的表面上形成的上面电极6、以及在厚度方向的另一方的表面上形成的下面电极7。在该上面电极6上层叠焊料层4。并且,在该焊料层4上层叠半导体激光元件2,使其与构成半导体激光元件2的下面电极3的合金化层19相对。

该半导体激光元件2在衬底11的厚度方向的一方的表面上顺序层叠活性层13、覆盖层15、欧姆电极层16、和非合金化层17。另一方面,在衬底11的厚度方向的另一方的表面上形成半导体激光元件2的上面电极18。然后,在非合金化层17上部分地层叠了合金化层19。该合金化层19和非合金化层17构成下面电极3。

如图3所示,在半导体激光元件2的发光区域8从与条状延伸的方向(垂直纸面的方向)和发光区域8的厚度方向正交的正交方向的发光区域8的中心线J0向着所述正交方向两侧到离开规定尺寸处的区域21中,不存在合金化层19,而存在非合金化层17。即,在区域21中,半导体激光元件2的下面电极3不与焊料层4合金化,非合金化层17与焊料层4相对。另一方面,在从中心轴J0开始在正交方向上比区域21进一步离开的区域中,下面电极3与焊料层4合金化,合金化电极层19被粘接到焊料层4。

在通过焊料材料将半导体激光元件2热融接在散热器5上时,在图3的合金化层19,会引起与层叠在散热器5上的焊料材料的合金化,使其牢固地粘接在焊料层4上。与此相对,在非合金化层17,没有引起与层叠在散热器5上的焊料材料的合金化,不能与焊料层4牢固地粘接。

因此,在非合金化层17,与合金化层19相比,降低了内部应力。并且,由于发光区域8被形成在非合金化层17与焊料层4接触的非合金化区域中,因此,能够减小发光区域8的内部应力,可以提高半导体激光装置1的可靠性。

然而,在现有技术的半导体激光装置1中,由于在半导体激光元件2的发光区域8的正下方形成非合金化层17,因此,存在如下问题,由于非合金化层17和欧姆电极层(合金化层19)或活性区域(发光区域8)的热膨胀系数不同,会产生对发光区域8的应力,从而无法充分得到提高可靠性的效果。

发明内容

因此,本发明的目的在于提供一种半导体激光装置,其能够减小半导体激光元件中产生的应力(Stress),实现长寿命化。

为了解决所述课题,本发明提供一种半导体激光装置,包括:

形成条状发光区域的半导体激光元件;以及

被粘接于所述半导体激光元件的散热器,

所述半导体激光元件具有:

与所述散热器相对的导电性的电极;以及

层叠于所述导电性的电极的焊料层,

所述焊料层不存在于第一区域,而存在于第二区域,所述第一区域是与所述发光区域以所述条状延伸的延伸方向、和所述发光区域的厚度方向正交的正交方向的从所述发光区域的中心线到朝向所述正交方向的两侧离开规定尺寸处的区域,并且,所述第二区域是从所述中心线到比所述第一区域更向所述正交方向的两侧离开的区域,

进而还包括所述焊料层与所述散热器所具有的金属层进行合金化的粘接部。

根据本发明的半导体激光装置,焊料层不存在于从所述发光区域的中心线到朝向所述正交方向的两侧只离开规定尺寸处的第一区域中。即,发光区域所存在的第一区域成为半导体激光元件的焊料层与散热器的非完全粘接区域。因此,能够减小在工作时由于半导体激光元件、焊料层和散热器的热膨胀系数不同而施加给发光区域的应力。因此,根据本发明,能够抑制发光区域的变形。

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