[发明专利]包含有青色型和黄色型颜色特性的像素的彩色图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

主光探测器，相邻于构造为接收入射到其上的可见光的半导体衬底的表面的一部分延伸；以及

次光探测器，掩埋在所述半导体衬底中，所述次光探测器具有电耦合至在第一电压偏置的所述图像传感器的节点的第一电荷承载端子。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述次光探测器构造为接收穿过所述主光探测器的可见光。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其中所述主光探测器包括第一光电二极管；且其中所述图像传感器还包括传输晶体管，所述传输晶体管具有电连接至所述第一光电二极管的阴极的源极/漏极区。

4.如权利要求2所述的图像传感器，其中所述次光探测器包括具有电连接至所述节点的阴极的第二光电二极管。

5.如权利要求3所述的图像传感器，其中所述次光探测器包括第二光电二极管，所述第二光电二极管具有电连接至所述节点的阴极以及与所述第一光电二极管的阴极形成P-N整流结的阳极。

6.如权利要求5所述的图像传感器，其中所述节点是电源节点。

7.如权利要求5所述的图像传感器，其中所述第二光电二极管的阴极由所述半导体衬底内的N型半导体区电连接至所述节点。

8.如权利要求4所述的图像传感器，其中所述第二光电二极管的阴极包括用作所述第二光电二极管的阳极的P型衬底区内的掩埋N型层。

9.如权利要求2所述的图像传感器，其中所述主光探测器包括第一光电二极管；且其中所述图像传感器还包括传输晶体管，所述传输晶体管具有电连接至所述第一光电二极管的阴极的第一源极/漏极区和用作所述图像传感器内的浮动扩散区的第二源极/漏极区。

10.一种图像传感器，包括：

半导体衬底；以及

所述半导体衬底内的像素的2×2阵列，所述像素的2×2阵列包括：

具有不同的光收集特性的第一和第二像素，所述第一像素包括：

相邻于半导体衬底的表面的第一部分延伸的主光探测器；以及

掩埋在所述半导体衬底内的次光探测器，所述次光探测器具有电耦合至在第一电压偏置的所述第一像素的节点的第一电荷承载端子；以及

具有等同的光收集特性的第三和第四像素。

11.如权利要求10所述的图像传感器，其中所述次光探测器构造为接收穿过所述主光探测器的可见光。

12.如权利要求11所述的图像传感器，其中所述主光探测器包括第一光电二极管；且其中所述第一像素还包括传输晶体管，所述传输晶体管具有电连接至所述第一光电二极管的阴极的源极/漏极区。

13.如权利要求11所述的图像传感器，其中所述次光探测器包括具有电连接至所述节点的阴极的第二光电二极管。

14.如权利要求12所述的图像传感器，其中所述次光探测器包括第二光电二极管，所述第二光电二极管具有电连接至所述节点的阴极以及与所述第一光电二极管的阴极形成P-N整流结的阳极。

15.如权利要求14所述的图像传感器，其中所述节点是电源节点。

16.如权利要求13所述的图像传感器，其中所述第二光电二极管的阴极包括用作所述第二光电二极管的阳极的P型衬底区内的掩埋N型层。

17.如权利要求10所述的图像传感器，其中所述第二像素包括：

相邻于半导体衬底的表面的第二部分延伸的光探测器；以及

在所述表面的第二部分上的可见光吸收层。

18.如权利要求17所述的图像传感器，其中所述可见光吸收层包括多晶硅。

19.如权利要求18所述的图像传感器，其中所述可见光吸收层具有从约1000到约4000的范围内的厚度。

20.一种图像传感器，包括：

像素的镶嵌图案，所述像素的镶嵌图案具有散布在具有白色颜色特性的像素之间的相等数目的无滤色器青色型像素和黄色型像素。

21.如权利要求20所述的图像传感器，其中所述像素的镶嵌图案包括散布在N个黄色型像素和2N个具有白色颜色特性的像素之间的N个青色型像素，这里N为正整数。