[发明专利]半导体电容结构

权利要求书

1.一种由第一电容与第二电容所组成的半导体电容结构，其包含有：

第一金属层，其包含有：

多个相互平行的第一分支区段；

多个相互平行的第二分支区段；

第一区段，耦接于该多个第一分支区段与该多个第二分支区段；

多个相互平行的第三分支区段；

多个相互平行的第四分支区段，其中该多个第二分支区段及该多个第三分支区段平行叉合，以及该多个第一分支区段及该多个第四分支区段平行叉合；

多个相互平行的第五分支区段；

多个相互平行的第六分支区段；

多个相互平行的第七分支区段；

多个相互平行的第八分支区段，其中该多个第六分支区段及该多个第七分支区段平行叉合，以及该多个第五分支区段及该多个第八分支区段平行叉合；

第二区段，耦接于该多个第三分支区段与该多个第八分支区段；

第三区段，耦接于该多个第五分支区段与该多个第六分支区段；

多个相互平行的第九分支区段；

多个相互平行的第十分支区段；

多个相互平行的第十一分支区段；

多个相互平行的第十二分支区段，其中该多个第十分支区段及该多个第十一分支区段平行叉合，以及该多个第九分支区段及该多个第十二分支区段平行叉合；

第四区段，耦接于该多个第七分支区段与该多个第十二分支区段；

第五区段，耦接于该多个第九分支区段与该多个第十分支区段；

多个相互平行的第十三分支区段；

多个相互平行的第十四分支区段；

多个相互平行的第十五分支区段；

多个相互平行的第十六分支区段，其中该多个第十四分支区段及该多个 第十五分支区段平行叉合，以及该多个第十三分支区段及该多个第十六分支区段平行叉合；

第六区段，耦接于该多个第十一分支区段与该多个第十六分支区段；

第七区段，耦接于该多个第十三分支区段与该多个第十四分支区段；以及

第八区段，耦接于该多个第十五分支区段与该多个第四分支区段；

其中该第一区段、该第一分支区段、该第二分支区段、该第五区段、该第九分支区段、以及该第十分支区段构成该第一电容的第一电极的一部分，并且该第三区段、该第五分支区段、该第六分支区段、该第七区段、该第十三分支区段、以及该第十四分支区段构成该第二电容的第一电极的一部分；以及该第二区段，该多个第三分支区段、该多个第八分支区段、该第四区段、该多个第七分支区段、该多个第十二分支区段、该第六区段、该多个第十一分支区段、该多个第十六分支区段、该第八区段、该多个第十五分支区段、以及该多个第四分支区段构成该第一电容与该第二电容共同的第二电极的一部分。