[发明专利]贯通孔电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种贯通孔电容器，至少包括：

基板，该基板具有多个贯通孔；

正极层，位于至少一贯通孔的内表面，其中至少一贯通孔内该正极层的表面为多孔结构；

介电层，位于该正极层的该多孔结构上；

第一负极层，覆盖于该介电层的表面；以及

第二负极层，覆盖于该第一负极层的表面，其中该第二负极层的电导率大于该第一负极层的电导率。

2.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该正极层的材料包括铝、钽、铌或一氧化铌。

3.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该介电层包括延伸至该贯通孔以外的该基板表面。

4.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该第一负极层的材料包括有机半导体、无机半导体或有机-无机混合导电材料。

5.如权利要求4所述的贯通孔电容器，其中该无机半导体包括二氧化锰。

6.如权利要求4所述的贯通孔电容器，其中该有机半导体包括电荷转移错盐或导电高分子。

7.如权利要求6所述的贯通孔电容器，其中该导电高分子包括聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺。

8.如权利要求6所述的贯通孔电容器，其中该第一负极层的材料包括单一导电高分子材料或混合的两种导电高分子材料。

9.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该第一负极层包括导电高分子或二氧化锰或者导电高分子与二氧化锰的双层结构。

10.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该第二负极层包括含碳与金属的复合层。

11.如权利要求10所述的贯通孔电容器，其中该复合层中的金属包括银、铜、金或镍。

12.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该第二负极层包括纯金属层。

13.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该第二负极层包括填满该贯通孔。

14.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该基板包括硅基板、绝缘基板或金属基板。

15.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该基板中的该贯通孔呈阵列排列。

16.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该基板中的该贯通孔电容可以全部或部分彼此并联。

17.如权利要求1所述的贯通孔电容器，其中该第一负极层与该第二负极层可为接地层或信号传输层，当阻抗匹配用。

18.一种贯通孔电容器的制造方法，包括：

在基板中形成多个贯通孔；

于至少一贯通孔的内表面形成正极层；

对该正极层进行表面处理，使该正极层的表面成为多孔结构；

在该多孔结构上形成介电层；

在该介电层上形成第一负极层；以及

在该第一负极层上形成第二负极层，其中该第二负极层的电导率大于该第一负极层的电导率。

19.如权利要求18所述的贯通孔电容器的制造方法，其中该表面处理包括蚀刻工艺。

20.如权利要求18所述的贯通孔电容器的制造方法，其中形成该介电层的方法包括阳极氧化法。

21.如权利要求18所述的贯通孔电容器的制造方法，其中该正极层的材料包括铝、钽、铌或一氧化铌。

22.如权利要求18所述的贯通孔电容器的制造方法，其中该第一负极层的材料包括有机半导体、无机半导体或有机-无机混合导电材料。

23.如权利要求22所述的贯通孔电容器的制造方法，其中该无机半导体包括二氧化锰。

24.如权利要求22所述的贯通孔电容器的制造方法，其中该有机半导体包括电荷转移错盐或导电高分子。

25.如权利要求24所述的贯通孔电容器的制造方法，其中该导电高分子包括聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺。

26.如权利要求24所述的贯通孔电容器的制造方法，其中该第一负极层的材料包括单一导电高分子材料或混合的两种导电高分子材料。