[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成绝缘层；

通过选择性地蚀刻所述绝缘层，而部分地暴露所述衬底；

将蚀刻后的所述绝缘层用作离子注入掩模，将离子注入到暴露的所述衬底内；以及

从注入有离子的所述衬底上去除蚀刻后的所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中部分地暴露所述衬底的步骤包括以下步骤：

在所述绝缘层上形成光致抗蚀剂层图案；以及

将所述光致抗蚀剂层图案用作蚀刻掩模，蚀刻所述绝缘层的暴露部分，而部分地暴露所述衬底。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：

从蚀刻后的所述绝缘层上去除所述光致抗蚀剂层图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包括氮化物层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述绝缘层包括氮化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在大于10¹⁵离子/cm²的密度下注入所述离子。

7.根据权利要求3所述的方法，其中在大于10¹⁵离子/cm²的密度下注入所述离子。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的暴露部分包括CMOS图像传感器的晶体管区域。

9.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述光致抗蚀剂层图案的步骤包括：从蚀刻后的所述绝缘层的表面充分去除所有的光致抗蚀剂。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的暴露部分处于所述半导体器件的单元区域内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底由蚀刻后的所述绝缘层覆盖的区域处于所述半导体器件的外围区域内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地蚀刻所述绝缘层的步骤包括：干蚀刻所述绝缘层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中去除蚀刻后的所述绝缘层的步骤包括：湿蚀刻蚀刻后的所述绝缘层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括位于其上表面的多晶硅层。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在去除蚀刻后的所述绝缘层后，图案化所述衬底以形成栅极结构。

16.根据权利要求4所述的方法，其中所述绝缘层包括氮化硅层。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括：

半导体晶片；

浅沟槽隔离结构，位于所述半导体晶片内；

栅极氧化物层，位于所述半导体晶片上或上方；以及

多晶硅层，位于所述栅极氧化物层上。

18.根据权利要求17所述的方法，其中将所述离子注入到所述多晶硅层内。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括以下步骤：在去除蚀刻后的所述绝缘层之后，图案化所述多晶硅层，以在CMOS图像传感器的晶体管区域中形成栅极结构。

20.根据权利要求1所述的方法，其中离子注入的步骤包括注入磷离子。