[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

申请号：	200710305602.8	申请日：	2007-12-26
公开（公告）号：	CN101257051A	公开（公告）日：	2008-09-03
发明（设计）人：	都官佑;卢载盛;李起正;吉德信;金荣大;金珍赫;朴京雄;宋翰相	申请（专利权）人：	海力士半导体有限公司
主分类号：	H01L29/92	分类号：	H01L29/92;H01L29/43;H01L27/00;H01L21/02
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人：	刘继富;顾晋伟
地址：	韩国京畿***	国省代码：	韩国;KR
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种电容器，包括：

下电极；

上电极；

位于所述下电极和所述上电极之间的介电层；和

氧化钌层，

其中所述下电极和所述上电极中的至少其一包含钌层，并且所述氧化钌层与所述钌层邻接布置。

2.一种制造电容器的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一氧化钌层；

在所述第一氧化钌层上形成用于下电极的下电极钌层；

在所述下电极钌层上形成介电层；和

在所述介电层上形成用于上电极的上电极导电层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述下电极钌层包括将所述第一氧化钌层化学还原成为钌层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一氧化钌层和形成所述下电极钌层是通过原子层沉积(ALD)进行的。

5.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述第一氧化钌层和形成所述下电极钌层的每一个都包括：

将钌源注入反应室；

清洗所述反应室；

将反应气体注入所述反应室；和

清洗所述反应室，

其中重复注入钌源、清洗反应室、注入反应气体、和清洗反应室的循环一次或多次，

其中用于形成所述第一氧化钌层的反应气体的注入流量或注入时间大于用于形成所述下电极钌层的反应气体的注入流量或注入时间。

6.根据权利要求5所述的方法，其中用于形成所述第一氧化钌层的反应气体的注入流量或注入时间是用于形成所述下电极钌层的反应气体的注入流量或注入时间的两倍或更多倍。

7.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述第一氧化钌层和形成所述下电极钌层是原位进行的。

8.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述第一氧化钌层和形成所述下电极钌层是在约200℃～约400℃的温度下或在约3托～约4托的压力下进行的。

9.根据权利要求5所述的方法，其中注入所述钌源通过将所述钌源以约50sccm～约500sccm的流量注入所述反应室约0.1秒～约10秒进行；清洗所述反应室通过将N₂气体以约100sccm～约900sccm的流量注入所述反应室约1秒～约5秒进行；和注入所述反应气体通过将O₂气体以约200sccm～约1000sccm的流量注入所述反应室约1秒～约10秒进行，

其中用于形成所述第一氧化钌层的O₂气体的注入流量或注入时间大于用于形成所述下电极钌层的O₂气体的注入流量或注入时间。

10.根据权利要求5所述的方法，其中所述反应气体包含O₂气体或O₃气体。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述反应气体还包含H₂O、NH₃和H₂气体中的一种或多种。

12.根据权利要求5所述的方法，其中当在所述第一氧化钌层上形成所述下电极钌层时，通过调节用于形成所述下电极钌层的钌源的注入流量或注入时间、用于形成所述下电极钌层的反应气体的注入流量或注入时间、和所述第一氧化钌层的厚度或所述下电极钌层的厚度中的至少其一，使所述第一氧化钌层还原成为钌层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一氧化钌层的厚度小于所述下电极钌层的厚度。

14.根据权利要求2所述的方法，还包括在形成所述下电极钌层之后进行热处理过程。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述热处理过程通过在约350℃～约600℃的温度范围内的快速热处理或炉热处理来进行。

16.根据权利要求2所述的方法，其中所述上电极导电层包含钌层，

其中形成所述上电极导电层包括：

在所述介电层上形成第二氧化钌层；和

在所述第二氧化钌层上形成用于所述上电极的上电极钌层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述上电极钌层包括将所述第二氧化钌层化学还原成为钌层。