[发明专利]高熔点化合物的去除方法和装置、溶剂回收方法和溶剂回收装置有效
申请号: | 200710305778.3 | 申请日: | 2007-09-28 |
公开(公告)号: | CN101235159A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 水岛康博;坂牧聪 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C08J11/02 | 分类号: | C08J11/02;C08J5/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 张成新 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔点 化合物 去除 方法 装置 溶剂回收 | ||
1、一种从混合有具有不同熔点的化合物的气体中去除高熔点化合物的方法,所述的去除方法包括以下步骤:
制备温度低于所述高熔点化合物的熔点MP1而高于低熔点化合物的熔点MP2的清洗液;和
将所述清洗液与所述气体中的所述高熔点化合物接触。
2、如权利要求1所述的去除方法,其中,在所述气体中含有的所述低熔点化合物的混合比率在30重量%到50重量%的范围内。
3、如权利要求1所述的去除方法,其中,所述气体是干燥后空气和包含所述低熔点化合物的空气的混合物,所述干燥后空气是通过干燥湿膜产生的,所述的湿膜包含作为膜材料的聚合物、溶解所述聚合物的溶剂、和所述高熔点化合物,
并且其中,所述高熔点化合物是通过冷却所述干燥后空气或所述气体而沉淀出的沉淀物。
4、如权利要求1所述的去除方法,其中所述清洗液是水。
5、如权利要求3所述的去除方法,其中所述高熔点化合物是用于降低所述膜的延迟的延迟降低剂。
6、如权利要求1所述的去除方法,其中所述高熔点化合物是正苯基-对-甲苯磺酰胺,并且
其中所述低熔点化合物是二苯氧基磷酰基苯酚、邻苯二甲酸双(2-乙基己基)酯、磷酸甲苯·二苯酯、或磷酸联苯·二苯酯。
7、一种溶剂回收方法,该方法包括以下步骤:
用如权利要求3所述的去除方法去除所述的高熔点化合物;
冷却所述接触后的剩余空气,以去除所述低熔点化合物;和
对所述冷却后的剩余空气采用吸收处理,以回收所述溶剂。
8、如权利要求7所述的溶剂回收方法,其中将所述溶剂回收后的所述剩余空气用作用于干燥所述湿膜的干燥前空气。
9、一种用于去除高熔点化合物的装置,包括接触装置,该接触装置使高熔点化合物和清洗液之间发生接触,该清洗液的温度低于在混合有不同熔点的化合物的气体中的所述高熔点化合物的熔点MP1并且高于低熔点化合物的熔点MP2。
10、如权利要求9所述的用于去除高熔点化合物的装置,进一步包括混合设备,该混合设备形成所述气体,所述气体中的所述低熔点化合物的混合比率在30重量%到50重量%的范围内。
11、如权利要求9所述的用于去除高熔点化合物的装置,进一步包括:
气体回收设备,该气体回收设备回收含有溶剂和所述高熔点化合物的干燥后空气,所述干燥后空气是通过干燥湿膜产生的,该湿膜含有作为所述膜的材料的聚合物、溶解所述聚合物的所述溶剂、和所述高熔点化合物;
混合设备,该混合设备将含有所述低熔点化合物的空气和所述干燥后空气混合,以形成所述气体;以及
冷却设备,该冷却设备冷却所述干燥后空气或所述气体,以使所述高熔点化合物沉淀。
12、如权利要求9所述的用于去除高熔点化合物的装置,其中所述清洗液是水。
13、一种溶剂回收装置,所述的溶剂回收装置包括:
如权利要求9至12中任一项所述的用于去除高熔点化合物的所述装置;
用于冷却所述接触后的剩余空气以去除所述低熔点化合物的冷却设备;和
对所述冷却后的剩余空气采用吸收处理以回收所述溶剂的吸收设备。
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