[发明专利]制作高亮度LED芯片的方法

权利要求书

1、一种制作高亮度LED芯片的方法，包括以下步骤：

(1)、在蓝宝石衬底上生长外延片；

(2)、在外延片上沉积SiO₂薄膜；

(3)、以SiO₂薄膜作掩膜，光刻出芯片的N区图形；

(4)、用腐蚀溶液清洗未受光刻胶保护的SiO₂；

(5)、用去胶溶液清洗去除光刻胶；

(6)用ICP刻蚀N面台阶和芯片尺寸的划道，露出n-GaN台面；

(7)、在外延片表面蒸镀沉积铟锡氧化物薄膜；

(8)、蒸镀以Cr/Ni/Au为金属组合的P-N电极；

其特征在于，在步骤(6)与(7)之间增加光辅助湿法腐蚀粗化n-GaN表面步骤，粗化后，n-GaN表面的粗化度为300—500nm。

2、如权利要求1所述的制作高亮度LED芯片的方法，其特征在于，所述光辅助湿法腐蚀粗化n-GaN表面步骤包括以下工序：

(A)、外延片表面蒸镀Ti薄膜；

(B)、蒸镀后的外延片浸泡在腐蚀溶液中，室温下，汞灯为光源，照射腐蚀1-10分钟，其中汞灯波长为365-405nm，照射光功率密度为20-400mW/cm²，腐蚀溶液为10-30％的KOH溶液、2-5％的HCl溶液或10％H₃PO₄溶液；

(C)、用酸性溶液清洗去除Ti薄膜。

3、如权利要求2所述的制作高亮度LED芯片的方法，其特征在于，所述光辅助湿法腐蚀粗化n-GaN表面步骤包括以下工序：

(A)、用电子束蒸发设备在外延片表面蒸镀Ti薄膜，Ti薄膜厚度为250nm～300nm；

(B)、蒸镀后的外延片浸泡在腐蚀溶液中，室温下，汞灯为光源，照射腐蚀1-5分钟，汞灯波长为365-405nm，照射光功率密度为20-400mW/cm²；

(C)、用稀H₂SO₄或HCl溶液清洗去除Ti薄膜。

4、一种制作高亮度LED芯片的方法，包括以下步骤：

(1)、在蓝宝石衬底上生长外延片；

(2)、在外延片的p-GaN层上镀金属镜子层，金属键合法反转键合在金属镜子上；

(3)、激光剥离掉蓝宝石衬底；

(4)、在外延层上蒸镀沉积铟锡氧化物；

(5)、蒸镀N-金属电极；

其特征在于，在步骤(3)与(4)之间增加光辅助湿法腐蚀粗化n-GaN表面步骤，粗化后，n-GaN的粗化度为300—500nm。

5、如权利要求4所述的制作高亮度LED芯片的方法，其特征在于，所述光辅助湿法腐蚀粗化n-GaN表面步骤包括以下工序：

(A)、外延片表面蒸镀Ti薄膜；

(B)、蒸镀后的外延片浸泡在腐蚀溶液中，室温下，汞灯为光源，照射腐蚀1-10分钟，其中汞灯波长为365-405nm，照射光功率密度为20-400mW/cm²，腐蚀溶液为10-30％的KOH溶液、2-5％的HCl溶液或10％H₃PO₄溶液；

(C)、用酸性溶液清洗去除Ti薄膜。

6、如权利要求5所述的制作高亮度LED芯片的方法，其特征在于，所述光辅助湿法腐蚀粗化n-GaN表面步骤包括以下工序：

(A)、用电子束蒸发设备在外延片表面蒸镀Ti薄膜，Ti薄膜厚度为250nm～300nm；

(B)、蒸镀后的外延片浸泡在腐蚀溶液中，室温下，汞灯为光源，照射腐蚀1-5分钟，汞灯波长为365-405nm，照射光功率密度为20-400mW/cm²；

(C)、用稀H₂SO₄或HCl溶液清洗去除Ti薄膜。