[发明专利]双向开关模块有效

专利信息
申请号: 200710305892.6 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101211904A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 大泽通孝;金泽孝光 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所;株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/36
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 双向 开关 模块
【权利要求书】:

1.一种双向开关模块,其具有对多个半导体元件进行组合,并使电流可双向流过的双向开关电路,其特征在于,包括:

成为散热板的至少一块以上的金属底板;

第1半导体元件,其具有与所述双向开关电路的第1节点连接的接合电极,并且载置在所述金属底板上;和

第2半导体元件,其具有与所述双向开关电路的第2节点连接的接合电极,并且载置在所述金属底板上,其中,

所述第1以及第2半导体元件的所述接合电极与所述金属底板为同一电位,并且,

所述金属底板与所述各半导体元件的非接合电极分别利用金属细线进行连接,构成所述双向开关电路。

2.如权利要求1所述的双向开关模块,其特征在于:

所述双向开关电路具有形成于其一端的第1节点N1、形成于另一端的第2节点N2、以及形成于所述第1节点N1与所述第2节点N2之间的第3节点N12。

3.如权利要求2所述的双向开关模块,其特征在于:

所述双向开关电路包括:在所述第1节点N1与所述第2节点N2之间,夹着所述第3节点N12逆串联连接的第1半导体开关以及第2半导体开关;与所述第1半导体开关逆并联连接的第1二极管;和与所述第2半导体开关逆并联连接的第2二极管。

4.如权利要求3所述的双向开关模块,其特征在于:

所述第1半导体开关以及第2半导体开关的所述第3节点N12侧电极是非接合电极的阴极或发射极。

5.如权利要求4所述的双向开关模块,其特征在于:

所述金属底板包括持有与所述第1节点N1对应的电位的第1金属底板,以及持有与所述第2节点N2对应的电位的第2金属底板。

6.如权利要求5所述的双向开关模块,其特征在于:

在所述第1金属底板上,以所述第1半导体开关的作为接合电极的漏电极或者集电极为接合面进行载置,并且以所述第1二极管的作为接合电极的阴极为接合面进行载置,在所述第2金属底板上,以所述第2半导体开关的作为接合电极的漏电极或者集电极作为接合面进行载置,并且,以所述第2二极管的作为接合电极的阴极作为接合面进行载置。

7.如权利要求3所述的双向开关模块,其特征在于:

所述第1半导体开关以及第2半导体开关的所述第3节点N12侧电极是作为接合电极的漏电极或者集电极。

8.如权利要求7所述的双向开关模块,其特征在于:

所述金属底板还包含持有与所述第3节点N12对应的电位的第3金属底板。

9.如权利要求8所述的双向开关模块,其特征在于:

在所述第3金属底板上,以所述第1半导体开关以及第2半导体开关的作为接合电极的漏电极或者集电极为接合面进行载置,并且以所述第1二极管以及所述第2二极管的作为接合电极的阴极为接合面进行载置。

10.如权利要求9所述的双向开关模块,其特征在于:

所述第1半导体开关以及第2半导体开关均为MOSFET、IGBT或者双极型晶体管的任意一个。

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