[发明专利]形成无机绝缘层和利用其制造显示装置用阵列基板的方法

权利要求书

1.一种制造阵列基板的方法，该方法包括通过溅射法形成无机绝缘 层，所述方法包括以下步骤：

通过第一掩模工艺在基板上形成选通线和连接至该选通线的栅极；

在所述选通线和所述栅极上形成栅极绝缘层；

通过第二掩模工艺在所述栅极绝缘层上形成有源层、数据线、源极 以及漏极，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区，所述有源层被 设置在所述栅极上方，而所述源极和所述漏极彼此分开以暴露出所述有 源层，其中，所述数据线具有半导体层和导电层的双层结构；

形成接触所述漏极的像素电极，以及连接所述数据线和所述源极的 连接电极；以及

在24℃到250℃的温度下，使用靶材通过溅射法在源极区与漏极区 之间的所述有源层上形成包括无机绝缘层的钝化图案，其中，所述靶材 包括硅、二氧化硅以及氮化硅中的一种，

其中，形成所述像素电极和所述连接电极的步骤以及形成所述钝化 图案的步骤包括以下步骤：

在所述数据线、所述源极以及所述漏极上形成透明导电材料层；

通过第三掩模工艺在所述透明导电材料层上形成光刻胶图案；

将所述光刻胶图案用作刻蚀掩模对所述透明导电材料层进行构图， 以形成所述像素电极和所述连接电极，其中所述连接电极覆盖所述数据 线；

通过溅射法在所述光刻胶图案上形成钝化层；以及

使用剥离法去除所述光刻胶图案和所述光刻胶图案上的所述钝化 层，以形成所述钝化图案，

其中，通过三掩模工艺制造所述阵列基板，而不会在剥离工艺中造 成劣化，

其中，所述基板和所述靶材彼此分开110cm到150cm的距离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化层在0.4Pa到1.5Pa 的压力、1.5KW到30KW的功率以及0.92W/cm³到5.2W/cm³的功率密度 下形成在腔室中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述靶材掺杂有包括硼和磷 其中之一的杂质，并且所述杂质的浓度在1ppm到999ppm的范围之内。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，将混合气体提供给所述腔室， 其中，所述混合气体包括流量为50sccm到1300sccm的氩气和流量为50 sccm到2000sccm的氮气。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述混合气体还包括氧气、 氨气以及氢气中的至少一种。