[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括：

提供基底，具有第一区域以及第二区域，其中该第一区域包括第一介电 材料，且该第二区域包括铜；

在基本无氧的环境下处理该基底，以除去在该第二区域内的铜氧化物； 以及

形成盖层在该基底上方，其中该盖层包括第二介电材料，且该第二介电 材料选择性地在该基底的第二区域上方形成，以致在该基底的第一区域上方 基本无该第二介电材料，其中形成该盖层的步骤包括化学气相沉积法，该化 学气相沉积法在包含硅烷及前驱气体的气体环境中进行，该前驱气体选自由 烷烃及含氮化合物所组成的群组。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包括形成SiCN蚀刻 停止层。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该硅烷选自由SiH₄、 Si₂H₆以及Si₃H₈所组成的群组。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该烷烃选自由CH₄、 C₂H₆以及C₃H₈所组成的群组。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该含氮化合物选自 由N₂以及NH₃所组成的群组。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该第二介电材料包 括硅以及至少一选自由碳和氮所组成的群组。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中处理该基底的步骤 包括进行等离子体蚀刻将铜氧化物还原成铜。

8.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包括沉积蚀刻停止层 在该盖层之上，该蚀刻停止层的材料包括SiN、SiC、SiCN或前述的组合。

9.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中处理该基底以及形 成该盖层的步骤在相同的设备中进行。

10.一种半导体元件的制造方法，包括：

提供基底，具有暴露的表面，该表面至少部分为铜；

使用等离子体蚀刻该基底的暴露的表面，以使该基底内的铜氧化物化学 性地还原成铜，该等离子体蚀刻在基本无氧的环境下进行，并且该环境存在 氢气来源，其选自由H₂和NH₃所组成的群组；以及

使用等离子体增强化学气相沉积法在气体环境下沉积介电覆盖物，选择 性地覆盖在该基底的暴露的表面为铜的部分之上，该气体环境包括硅烷及前 驱气体，该硅烷选自由SiH₄、Si₂H₆以及Si₃H₈所组成的群组，该前驱气体选 自由CH₄、C₂H₆、C₃H₈、N₂以及NH₃所组成的群组，

其中该等离子体蚀刻步骤以及该沉积步骤在相同的设备中进行。