[发明专利]金属吸附装置及方法

权利要求书

1.金属吸附装置，其是为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属吸附在非晶质硅上的装置，其特征在于，其包含：

供给含有金属的源气体的源气体供给部；

供给辅助气体的辅助气体供给部；

通过所述源气体与所述辅助气体的反应来使金属吸附在所述非晶质硅上的反应室；以及

通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来控制吸附在所述非晶质硅上的金属的量的控制部。

2.金属吸附装置，其是为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属吸附在非晶质硅上的装置，其特征在于，其包含：

供给含有金属的源气体的源气体供给部；

使所述源气体吸附在所述非晶质硅上的反应室；以及

通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来控制吸附在所述非晶质硅上的金属的量的控制部。

3.权利要求1或2所述的金属吸附装置，其特征在于，所述源气体含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu中的任意1个或2个以上。

4.权利要求3所述的金属吸附装置，其特征在于，所述源气体为Ni(cp)₂或Ni(dmamb)₂中的任意一个。

5.权利要求1所述的金属吸附装置，其特征在于，所述辅助气体包含H₂、NH₃等还原性气体，O₂、N₂O、H₂O、臭氧等氧化性气体，Ar、N₂等不活泼性气体。

6.权利要求1或2所述的金属吸附装置，其特征在于，所述吸附压力通过对由所述源气体供给部供给的源气体的流量、流入到所述反应室内的气体的总流量以及从所述反应室中排出的气体的总流量中的至少一个进行调节来控制。

7.权利要求1或2所述的金属吸附装置，其特征在于，所述吸附温度控制在常温～250℃的范围。

8.权利要求1或2所述的金属吸附装置，其特征在于，金属以覆盖率小于1的比例吸附在所述非晶质硅上。

9.金属吸附方法，其是为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属吸附在非晶质硅上的方法，其特征在于，其包含以下步骤：

将非晶质硅配置在反应室内的步骤；

在所述反应室内流入含有金属的源气体的步骤；

通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在所述非晶质硅上的步骤；

将未吸附于所述非晶质硅上的源气体从所述反应室中排出的步骤；

将辅助气体流入到所述反应室内的步骤；以及

通过吸附于所述非晶质硅上的源气体与所述辅助气体发生反应，从而最终在所述非晶质硅上吸附规定量的金属的步骤。

10.金属吸附方法，其是为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属吸附在非晶质硅上的方法，其特征在于，其包含以下步骤：

将非晶质硅配置在反应室内的步骤；

在所述反应室内流入含有金属的源气体的步骤；以及

通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在所述非晶质硅上的步骤。

11.权利要求9或10所述的金属吸附方法，其特征在于，所述源气体含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu中的任意1个或2个以上。

12.权利要求11所述的金属吸附方法，其特征在于，所述源气体为Ni(cp)₂或Ni(dmamb)₂中的任意一个。

13.权利要求9所述的金属吸附方法，其特征在于，所述辅助气体包含H₂、NH₃等还原性气体，O₂、N₂O、H₂O、臭氧等氧化性气体，Ar、N₂等不活泼性气体。

14.权利要求9或10所述的金属吸附方法，其特征在于，所述吸附压力通过对由所述源气体供给部供给的源气体的流量、流入到所述反应室内的气体的总流量以及从所述反应室中排出的气体的总流量中的至少一个进行调节来控制。