[发明专利]用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物

权利要求书

1. 用于沉积具有提高的耐蚀刻性的含碳的氧化硅膜或含碳的氮化硅膜的方法，包括：

提供包含硅的结构前体；

提供包含碳的掺杂剂前体；

将包含碳的掺杂剂前体和包含硅的结构前体混合，以得到混合比率Rm(包含碳的掺杂剂前体在混合物中的重量百分数)在2％和85％之间并具有流动速率Fm的混合物；

提供具有流动速率Fc的化学改性剂；

具有在25％和75％之间的流动比率R2，定义R2为R2＝Fm/Fc；和

制备具有提高的耐蚀刻性的所述包含碳的氧化硅膜或者所述包含碳的氮化硅膜，其中耐蚀刻性随着碳结合的增加而提高。

2. 根据权利要求1的方法，其中所述沉积包括增加所述混合比率Rm来增加耐蚀刻性。

3. 根据权利要求1的方法，其中所述沉积包括增加所述混合比率Rm来增加沉积速率。

4. 根据权利要求1的方法，其中所述沉积包括增加所述混合比率Rm来减小膜密度。

5. 根据权利要求1的方法，其中所述沉积包括增加所述流动比率R2来增加耐蚀刻性。

6. 根据权利要求1的方法，其中所述沉积包括增加所述流动比率R2来增加沉积速率。

7. 根据权利要求1的方法，其中所述沉积包括增加流动比率R2来减小膜密度。

8. 根据权利要求1的方法，其中所述沉积在350℃和700℃之间的温度和在0.2托和10托之间的压力下进行。

9. 根据权利要求1的方法，其中所述化学改性剂选自氧、氮、氨、氦、氩、氙、氢和其混合物。

10. 根据权利要求1的方法，其中所述包含硅的结构前体选自二(叔丁基)硅烷、原硅酸四乙酯、二氯硅烷、六氯乙硅烷、和其混合物。

11. 根据权利要求1的方法，其中所述沉积选自原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)和远程下游方法。

12. 用来沉积具有提高的耐蚀刻性的、包含碳的氧化硅膜或者包含碳的氮化硅膜的低压化学气相沉积(LPCVD)方法，该方法包括：

提供二(叔丁基)硅烷前体；

提供苯基硅烷前体；

将苯基硅烷前体和二(叔丁基)硅烷前体混合，以得到混合比率Rm(添加到二(叔丁基)硅烷前体中的苯基硅烷前体重量百分数)在2％和85％之间和流动速率为Fm的混合物；

提供化学改性剂，其选自氧、氮、氨和其混合物；且具有流动速率Fc；

具有在25％和75％之间的流动比率R2，定义R2为R2＝Fm/Fc；和

制备具有提高的耐蚀刻性的包含碳的氧化硅膜或者包含碳的氮化硅膜，其中耐蚀刻性随着碳结合的增加而提高。

13. 根据权利要求12的方法，其中所述沉积包括增加混合比率Rm来增加耐蚀刻性。

14. 根据权利要求12的方法，其中所述沉积包括增加混合比率Rm来增加沉积速率。

15. 根据权利要求12的方法，其中所述沉积包括增加混合比率Rm来减小膜密度。

16. 根据权利要求12的方法，其中所述沉积包括增加流动流动比率R2来增加耐蚀刻性。

17. 根据权利要求12的方法，其中所述沉积包括增加流动比率R2来增加沉积速率。

18. 根据权利要求12的方法，其中所述沉积包括增加流动比率R2来减小膜密度。

19. 根据权利要求12的方法，其中所述沉积在350℃和700℃之间的温度和在0.2托和10托之间的压力下进行。