[发明专利]环境光检测电路和包括环境光检测电路的平板显示器有效

专利信息
申请号: 200710306254.6 申请日: 2007-12-27
公开(公告)号: CN101231189A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 权五敬 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社;汉阳大学校产学协力团
主分类号: G01J1/46 分类号: G01J1/46;G09G3/20;G09G5/10;G09G3/30;G09G3/36
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李湘;王小衡
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 环境 检测 电路 包括 平板 显示器
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求2006年12月27日提交的韩国专利申请No.10-2006-0135381、10-2006-0135382、10-2006-0135383和10-2006-0135384的优先权,这些韩国专利申请的整个内容以引用方式结合在此。

技术领域

实施例涉及环境光检测电路和包括该环境光检测电路的平板显示器。

背景技术

平板显示器包括有机发光显示器、液晶显示器、等离子体显示器和电场发射显示器等等。这些平板显示器比传统的阴极射线管(CRT)显示器要更薄、更轻且消耗的功率更少。在平板显示器当中,有机发光显示器和液晶显示器通常更加广泛地用作便携式电子装置的显示器,这是因为它们的尺寸减小相对容易,并且电池的使用时间相对长。

通常,通过用户的操纵,可以手动调节平板显示器例如有机发光显示器或液晶显示器的屏幕亮度。然而,它们通常设计成利用恒定亮度来显示屏幕,而不管环境亮度如何。例如,通常,平板显示器设计成具有在环境亮度不高的房间中最适宜的屏幕亮度。因此,屏幕亮度在昏暗的地方显得相对过高,而在日光下显得相对过低。因此,存在能见度的相关问题。

而且,因为传统的平板显示器可以设计成具有恒定屏幕亮度,所以,当在环境亮度相对低的地方长时间采用这种平板显示器时,如果屏幕亮度不手动调节,则屏幕亮度不必过高,因此,功率消耗也不必过高。

此外,在传统的平板显示器中,在和形成平板显示板的主基底不同的基底上,形成检测器、处理电路等部件。因此,如果用于检测环境亮度的环境光检测电路电耦合到该主基底,则平板显示器的尺寸、厚度和功率消耗量会增大。

发明内容

因此,实施例旨在提供环境光检测电路和包括该环境光检测电路的平板显示器,其基本上克服了因现有技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。

因此,本发明的实施例的特性之一是,提供一种能够准确地检测环境亮度的环境光检测电路。

因此,本发明的实施例的一个单独的特性是,提供一种可以根据环境亮度自动调节屏幕亮度的平板显示器。

因此,本发明的实施例的一个单独的特性是,提供一种环境光检测电路和包括该环境光检测电路的平板显示器,它可以通过设置在形成象素电路的基底上的低温多晶硅薄膜晶体管来实现环境光检测电路、信号处理电路等。

本发明的至少一个上述和其他特性和优点可以通过提供一种环境光检测电路来实现,该环境光检测电路电耦合到适于供给第一电源电压的第一电源和耦合到存储电容器的输出负载,该环境光检测电路包括晶体管、耦合到该晶体管且适于补偿该晶体管的阈值电压的第一存储电容器、耦合到第一存储电容器的第二存储电容器、耦合到第一存储电容器和第二存储电容器且适于基于入射的环境光来改变第一存储电容器和第二存储电容器的耦合电压的光电二极管、适于选择性施加第一电源电压到耦合到该晶体管的输出负载的第一开关、以及第二开关,其中该第二开关包括耦合到该晶体管的第一电极的第一电极,以及耦合到该输出负载和第一开关的第一电极的第二电极,该第二开关使得存储在该存储电容器中的电荷基于第一存储电容器和第二存储电容器的耦合电压而经该晶体管放电。

该环境光检测电路包括第三开关和第四开关,该第三开关包括耦合到第一存储电容器的第一电极且适于可控供给基准电压至第一存储电容器的第一电极,该第四开关耦合到第一存储电容器的第二电极并且耦合在该晶体管的控制极和该晶体管的第二电极之间,其中该第四开关适于使得基于该晶体管的阈值电压的受调节基准电压施加到第一存储电容器的第二电极以及在二极管耦合状态下选择性连接晶体管。

该环境光检测电路包括第五开关,该第五开关耦合到该晶体管的第一电极且适于供给基准电压至该晶体管,其中该受调节基准电压可以基于经第五开关施加的基准电压和该晶体管的阈值电压。

该环境光检测电路包括第六开关,该第六开关耦合到该晶体管的第二电极,且适于使得耦合到该输出负载的存储电容器基于第一存储电容器和第二存储电容器的耦合电压而至少部分放电到第二电源。该环境光检测电路包括第三存储电容器,该第三存储电容器耦合到该光电二极管并且适于增大该光电二极管的反向偏置电位。

该环境光检测电路包括第七开关,该第七开关设置在第三存储电容器和光电二极管之间,且用于将第三存储电容器并联耦合到光电二极管。该光电二极管可以是PIN二极管、PN二极管和光耦合器之一,其中其阴极耦合到参考电源而其阳极耦合到第二电源。该光电二极管可以是PIN二极管、PN二极管和光耦合器之一,其中其阴极耦合到第二电源而其阳极耦合到参考电源。

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