[发明专利]参考电压电路无效
| 申请号： | 200710306361.9 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101216717A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 谢其松;刘宇华 | 申请（专利权）人： | 络达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考 电压 电路 | ||
1.一种参考电压电路，其特征在于，包括：
一电流镜，包括有一输出端及一节点；
一第一电阻，连接该电流镜的输出端；
一第一金属氧化物半导体晶体管，该第一金属氧化物半导体晶体管的栅极端耦接该电流镜的节点；
一第二金属氧化物半导体晶体管，耦接该第一金属氧化物半导体晶体管，且该第二金属氧化物半导体晶体管的第一端点与栅极端相耦接；及
一第一电压输出端，介于该第一金属氧化物半导体晶体管及该第二金属氧化物半导体晶体管之间，并用以输出一参考电压。
2.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，该电流镜包括有至少一电流镜单元。
3.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，该电流镜包括有一第一电流镜单元及一第二电流镜单元。
4.根据权利要求3所述的参考电压电路，其特征在于，该第一电流镜单元包括一第三金属氧化物半导体晶体管及一第四金属氧化物半导体晶体管，而该第二电流镜单元则包括一第五金属氧化物半导体晶体管及一第六金属氧化物半导体晶体管。
5.根据权利要求4所述的参考电压电路，其特征在于，该第一金属氧化物半导体晶体管、该第五金属氧化物半导体晶体管及该第六金属氧化物半导体晶体管为相同类型的金属氧化物半导体晶体管。
6.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，还包括有至少一金属氧化物半导体晶体管连接该第二金属氧化物半导体晶体管的第二端点。
7.根据权利要求6所述的参考电压电路，其特征在于，该金属氧化物半导体晶体管的第一端点与栅极端相耦接。
8.根据权利要求6所述的参考电压电路，其特征在于，该第二金属氧化物半导体晶体管及该金属氧化物半导体晶体管之间设置有一第二电压输出端。
9.根据权利要求6所述的参考电压电路，其特征在于，该金属氧化物半导体晶体管的个数为多数个，并于各个相邻的金属氧化物半导体晶体管之间设有一电压输出端。
10.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，还包括有至少一负载单元耦接该第二金属氧化物半导体晶体管。
11.根据权利要求10所述的参考电压电路，其特征在于，该负载单元包括串联的一第二电阻和一半导体元件。
12.根据权利要求10所述的参考电压电路，其特征在于，该半导体元件为金属氧化物半导体晶体管、二极管或双载体晶体管。
13.根据权利要求10所述的参考电压电路，其特征在于，该第二金属氧化物半导体晶体管及该负载单元之间还设置有至少一金属氧化物半导体晶体管。
14.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，还包括有一启动单元连接该电流镜。
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