[发明专利]用于隧道磁阻元件的测试方法和装置

权利要求书

1.一种用于利用隧道磁阻效应的再现元件的再现元件测试方法，所述再现元件测试方法包括：

测量步骤，用于针对不同电流来测量第一电阻值和第二电阻值；

比较步骤，用于对电阻值微分曲线和电阻改变率进行比较，所述电阻值微分曲线是根据具有相同设计的没有缺陷的制品的再现元件的隧道磁阻和电压之间的理论方程式来计算得到的，而所述电阻改变率是根据所述测量步骤所测得的所述第一电阻值和第二电阻值来计算得到的；以及

判断步骤，用于基于对所述电阻值微分曲线和所述电阻改变率的比较来判断所述再现元件是有缺陷的还是没有缺陷的。

2.如权利要求1所述的再现元件测试方法，其中，所述电阻值微分曲线是通过将具有特定电阻值的电阻器与所述没有缺陷的制品并联连接、基于所述没有缺陷的制品的再现元件的隧道磁阻和电压之间的所述理论方程式来获得的，并且

其中，当所述电阻改变率的绝对值高于所述电阻值微分曲线时，所述判断步骤判定所述再现元件是没有缺陷的。

3.如权利要求2所述的再现元件测试方法，其中，所述特定电阻值是1000Ω。

4.如权利要求1所述的再现元件测试方法，其中，所述隧道磁阻和电压之间的理论方程式是从Brinkman理论方程式推导得到的。

5.如权利要求1所述的再现元件测试方法，其中，当所述再现元件的所述电阻改变率接近于所述电阻值微分曲线时，所述判断步骤判定所述再现元件是没有缺陷的。

6.如权利要求1所述的再现元件测试方法，其中，所述第一电阻值是当在所述再现元件中流过0.1mA时获得的，所述第二电阻值是当在所述再现元件中流过0.4mA时获得的，并且所述电阻改变率是通过以下方式来获得的值，即，从第二电阻值减去所述第一电阻值，将相减结果除以所述第一电阻值，并将相除结果乘以100。

7.如权利要求1所述的再现元件测试方法，其中，所述再现元件的可允许电阻范围在300Ω和400Ω之间。

8.一种用于具有隧道磁阻效应的再现元件的再现元件测试装置，所述再现元件测试装置包括：

测量部分，该测量部分针对不同电流来测量第一电阻值和第二电阻值；

比较部分，该比较部分对电阻值微分曲线和电阻改变率进行比较，所述电阻值微分曲线是根据具有相同设计的没有缺陷的制品的再现元件的隧道磁阻和电压之间的理论方程式来计算得到的，而所述电阻改变率是根据所述测量部分所测得的所述第一电阻值和第二电阻值来计算得到的；以及

判断部分，该判断部分基于对所述电阻值微分曲线和所述电阻改变率的比较来判断所述再现元件是有缺陷的还是没有缺陷的。