[发明专利]光电半导体装置

权利要求书

1.一种光电半导体装置，包含：

一半导体系统，可以进行光能与电能间的转换；

一界面层，形成于该半导体系统的至少二个表面；

一导电体，承载该半导体系统；及

一电性接点，穿过该界面层，并电连接该半导体系统及该导电体。

2.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中光电半导体系统包含一发光二极管。

3.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该界面层形成于该半导体系统与该导电体之间。

4.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该界面层至少覆盖该半导体系统的一侧表面。

5.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该界面层的折射系数介于该半导体系统与一环境介质之间。

6.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一反射体，位于该半导体系统与该导电体间，并可反射源自于该半导体系统的光线。

7.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一第一接合层与一第二接合层，分别位于该电性接点的相反侧，并彼此电连接。

8.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一第一接合层，与该半导体系统电连接，且至少该电性接点的部分穿入该第一接合层。

9.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一第一接合层，与该半导体系统电连接并反射源自于该半导体系统的光线。

10.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一第一接合层，与该半导体系统电连接；及

一反射体，位于该第一接合层与该半导体系统之间，并反射源自于该半导体系统的光线。

11.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一反射体，位于该电性接点与该半导体系统之间，且该电性接点与该反射体接触。

12.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该电性接点间的间距变化规则选自由定周期性、变周期性、拟周期性、等比级数、及无规则性所构成的组。

13.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该电性接点的形状选自由矩形、圆形、椭圆形、三角形、六角形、不规则形、及以上形状的组合。

14.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该电性接点包含一粗糙面。

15.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一第一中介层，与该半导体系统电连接；及

一第二中介层，形成于该电性接点之上，并位于该第一中介层与该电性接点之间。

16.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一电极，形成于该半导体系统之上；及

一绝缘区，相应于该电极的位置，且大体上与该电性接点位于同一水平面。

17.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一电极，形成于该半导体系统之上；及

一绝缘区，相应于该电极的位置，且位于与该电性接点不同的水平面。

18.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该界面层包含一波长转换材料。

19.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一无源发光层，形成于该半导体系统相对于该电性接点的一表面，其中该无源发光层可发出一输出光以回应源自于该半导体系统的一输入光，且该输出光与该输入光具有相异的波长。

20.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含：

一光摘出面，形成于该光电半导体装置的一主要出光面之上，该光摘出面选自由粗糙面、规则性的凸出与凹陷结构、不规则性的凸出与凹陷结构、与光子晶体构成的组。