[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及电子装置

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

在其中多个像素排列成二维矩阵的成像区域；和

检测来自所述像素的输出信号的外围电路部分，其中，

在每个所述像素的晶体管中的杂质浓度低于所述外围电路部分的晶体管中的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

每个所述像素包括：具有光电二极管的光电转换部、将来自所述光电二极管的电荷转换为电压信号的浮置扩散部、将所述电压信号从所述光电二极管转移到所述浮置扩散部的转移晶体管、重置所述浮置扩散部的电荷的重置晶体管、和将所述浮置扩散部的电势作为信号电平输出的放大晶体管，以及

所述转移晶体管中的杂质浓度低于所述放大晶体管中的杂质浓度。

3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，

所述转移晶体管的栅电极具有在其侧表面上的绝缘膜侧壁，和

所述转移晶体管中侧壁下的部分中的杂质浓度低于所述放大晶体管中栅电极下的部分的杂质浓度。

4.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述重置晶体管的杂质浓度和所述转移晶体管的杂质浓度相同。

5.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述重置晶体管的杂质浓度和所述放大晶体管的杂质浓度相同。

6.根据权利要求2所述的固态成像装置，还包括在所述浮置扩散部和所述转移晶体管之间的偏移。

7.一种提供有固态成像装置的电子装置，所述固态成像装置包括：

在其中相对大量的像素排列成二维矩阵的成像区域；和

检测来自所述像素的输出信号的外围电路部分，其中，

每个所述像素的晶体管中的杂质浓度低于所述外围电路部分的晶体管中的杂质浓度。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中，

所述固态成像装置中的每个所述像素包括：具有光电二极管的光电转换部，将来自所述光电二极管的电荷转换为电压信号的浮置扩散部，将所述电压信号从所述光电二极管转移到所述浮置扩散部的转移晶体管，重置所述浮置扩散部的所述电荷的重置晶体管，和将所述浮置扩散部的电势作为信号电平输出的放大晶体管，以及

所述转移晶体管中的杂质浓度低于所述放大晶体管中的杂质浓度。

9.一种固态成像装置，包括：

多个像素，每个所述像素包括：光电转换部、浮置扩散部和在所述浮置扩散部的后段的像素晶体管部；和

检测来自所述像素的输出信号的外围电路，其中，

每个所述像素中所述浮置扩散部下方的半导体阱区的杂质浓度设置成低于在所述浮置扩散部的后段的像素晶体管部下方的半导体阱区的杂质浓度。

10.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中，

所述光电转换部下方的半导体阱区，所述浮置扩散部下方的半导体阱区，和在所述浮置扩散部的后段的像素晶体管部下方的半导体阱区分别形成为杂质浓度各不相同。

11.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中，

当所述像素晶体管部的一部分由多个像素共享，且所述浮置扩散部分成多个分开的部分时，所述分开的浮置扩散部下方的半导体阱区的杂质浓度设置成低于在所述浮置扩散部的后段的像素晶体管部下方的半导体阱区的杂质浓度。

12.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中，

当所述像素晶体管部的一部分由多个像素共享，且所述浮置扩散部分成多个分开的部分时，所述分开的浮置扩散部中预定的分开的浮置扩散部的下方的部分半导体阱区的杂质浓度设置成低于在所述浮置扩散部的后段的像素晶体管部下方的半导体阱区的杂质浓度。

13.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中，

构成所述浮置扩散部的扩散区域和构成所述像素晶体管部的扩散区域以相同的杂质浓度同时形成。

14.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中，

构成所述浮置扩散部的扩散区域以低于构成所述像素晶体管部的扩散区域的杂质浓度的杂质浓度形成。