[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

在第1导电类型的半导体层的表面上形成的、具有元件分离功能的第2导电类型的阱层；和

在上述阱层内形成的DMOS晶体管，

上述DMOS晶体管包括：

包含在上述阱层的表面上形成的沟道区域的第2导电类型的体层；

在上述体层的表面上形成的第1导电类型的源极层；

在上述体层的一部分上隔着栅极绝缘膜形成的栅极；

在上述阱层的表面上形成的第1导电类型的漏极层；和

在上述栅极下方形成的、降低导通电阻的第1导电类型的第1扩散层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，包括在上述阱层的表面上，与上述栅极的上述漏极层侧的端部相邻接而形成的、比上述第1扩散层的浓度更高的第1导电类型的第2扩散层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，上述第2扩散层形成得比上述第1扩散层更深。

4.根据权利要求1至权利要求3任意一项所述的半导体器件，其特征在于，包括与上述漏极层重叠、比上述漏极层形成得更深的第2导电类型的第3扩散层。

5.根据权利要求1至权利要求3任意一项所述的半导体器件，其特征在于，包括将上述半导体层分离成多个分离区域、使相邻的分离区域绝缘的绝缘分离层，

在一个分离区域内混载上述DMOS晶体管和利用与上述DMOS晶体管相同的电源电压的器件元件。

6.一种半导体器件的制造方法，特征在于，包括：

在第1导电类型的半导体层的表面上形成具有元件分离功能的第2导电类型的阱层的工序；

在上述阱层的表面的栅极形成区域中，形成用于降低导通电阻的第1导电类型的第1扩散层的工序；

在上述第1扩散层的一部分上隔着栅极绝缘膜形成栅极的工序；

在上述阱层内形成深达上述栅极的下方区域的一部分的第2导电类型的体层的工序；

在上述体层内形成与上述栅极邻接的源极层的工序；和

在上述阱层内形成漏极层的工序。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有在上述阱层的表面上，邻接上述栅极的上述漏极层侧的端部，形成比上述第1扩散层的浓度更高的第1导电类型的第2扩散层的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成上述第2扩散层的工序中，将上述第2扩散层形成得比上述第1扩散层更深。

9.根据权利要求6至权利要求8任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有形成与上述漏极层重叠、比上述漏极层更深的第2导电类型的第3扩散层的工序。

10.根据权利要求6至权利要求8任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：

将上述半导体层分离成多个分离区域、形成使相邻的分离区域绝缘的绝缘分离层的工序；和

在一个分离区域内形成上述DMOS晶体管和利用与上述DMOS晶体管相同的电源电压的器件元件的工序。