[发明专利]半导体装置和光检测方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

光波导，设置在半导体区域内且在绝缘层之上；以及

多个光检测器，设置于该光波导处，

其中所述多个光检测器包括栅绝缘场效应晶体管，且

其中所述多个光检测器以不同时序捕获数据。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该栅绝缘场效应晶体管设置在通过该光波导传播的光的电场延伸到的该半导体区域中。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该绝缘层包括设置在半导体衬底上的第一绝缘层，

其中该半导体区域包括通过第二绝缘层彼此分隔开的第一半导体层和第二半导体层，且

其中该光波导由该第一半导体层的厚区域定义，该第一半导体层的该厚区域通过使该第一绝缘层朝向该半导体衬底凹陷或者使该第二绝缘层朝向该第二半导体层凹陷而形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该栅绝缘场效应晶体管包括负沟道金属-绝缘体-半导体晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中设置每个该栅绝缘场效应晶体管使得其栅极长度方向与光通过该光波导的传播方向直交。

6.一种光检测方法，利用一种半导体装置进行，该半导体装置包括设置在半导体区域内且在绝缘层上的光波导、以及设置在该半导体区域中在该光波导上的多个光检测器，所述多个光检测器包括栅绝缘场效应晶体管，该方法包括步骤：

使每个光检测器以顺序方式在三种模式之间切换，所述三种模式包括数据删除模式、数据捕获模式、以及数据检测模式；以及

通过允许所述多个光检测器在该数据捕获模式中以不同时序捕获数据且比较该光检测器的输出以基于是否存在捕获数据的时序的时间差来检测光，从而检测通过该光波导传播的光。