[发明专利]积层陶瓷电容器无效

专利信息
申请号: 200710307135.2 申请日: 2007-12-27
公开(公告)号: CN101246777A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 蔡聪智;魏厚弘 申请(专利权)人: 华新科技股份有限公司
主分类号: H01G4/30 分类号: H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12;H01G4/008
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电容器
【权利要求书】:

1.一种积层陶瓷电容器,其包括堆栈体与设置在该堆栈体两端的外端电极层,该堆栈体是由至少三介电层与至少二内电极层交互堆栈所构成,而各相邻的内电极层是分别露出于堆栈体两端,而该外端电极层是包括保护层以及导接层,该保护层是设置在该堆栈体两端,而该导接层是以焊接的方式包覆于该保护层相对于堆栈体的另侧,其特征在于:

该外端电极层包括一具有延展性及导电性的树脂金属层,其是设置在该堆栈体与保护层之间,而该树脂金属层是包覆在堆栈体两端,并与该内电极层接触。

2.如权利要求1所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该介电层为陶瓷层。

3.如权利要求1所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该内电极层是选自镍、含镍的合金、含镍化合物及含镍的有机复合材料。

4.如权利要求1所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该内电极层是选自银、含银的合金、含银化合物及含银的有机复合材料。

5.如权利要求1所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该内电极层是选自铜、含铜的合金、含铜化合物及含铜的有机复合材料。

6.如权利要求1所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该内电极层是选自钯、含钯的合金、含钯化合物及含钯的有机复合材料。

7.如权利要求1所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该保护层为镍金属保护层。

8.如权利要求1所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该导接层是锡金属导接层。

9.如权利要求1至8任一项所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该树脂金属层是以热固型树脂与金属的复合材料所制成。

10.如权利要求9所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该树脂金属层的厚度为0.1μm至800μm。

11.如权利要求9所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该树脂金属层的延展性为0.001~60%。

12.如权利要求9所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该金属的比例是占整体树脂金属层的65wt%至95wt%。

13.如权利要求9所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该金属是选自金、含金的合金、含金化合物及含金的有机复合材料。

14.如权利要求9所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该金属是选自银、含银的合金、含银化合物及含银的有机复合材料。

15.如权利要求9所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该金属是选自镍、含镍的合金、含镍化合物及含镍的有机复合材料。

16.如权利要求9所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该金属是选自钯、含钯的合金、含钯化合物及含钯的有机复合材料。

17.如权利要求9所述的积层陶瓷电容器,其特征在于:该金属是选自铜、含铜的合金、含铜化合物及含铜的有机复合材料。

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