[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于包括：

一核心元件，包括一高介电常数栅介电层形成于一应变硅通道区之上；以及

一输入/输出元件，其中该输入/输出元件包括一非高介电常数栅介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的高介电常数栅介电层具有大于8的一介电常数。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，更包括一电晶体。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的应变硅通道区包括一硅层形成在一硅-锗层之上。

5.一种半导体元件，其特征在于包括：

一第一构件，包括一高介电常数栅介电层形成于一应变硅通道区之上，其中该应变硅通道区包括硅-锗；以及

一第二构件，其中该输入/输出元件包括一非高介电常数介电层。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第一构件是一电晶体，具有一漏极区和一源极区，其中该漏极区和该源极区的每一者都具有一上方边界延伸高过该高介电常数栅介电层。

7.根据权利要求5所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第二构件包括一栅极结构，该栅极结构包含二氧化硅栅介电层。

8.根据权利要求5所述的半导体元件，更包一金属栅极沉积于该高介电常数栅介电层上。