[发明专利]多层陶瓷基板有效
申请号: | 200710307201.6 | 申请日: | 2007-12-26 |
公开(公告)号: | CN101209929A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 宫内泰治;铃木利幸;平川昌治;中村知子;宫越俊伸;畑中洁 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B37/04 | 分类号: | C04B37/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 | ||
1.一种多层陶瓷基板,其特征在于:
在层叠有多层陶瓷基板层的层叠体的至少一侧的表面上具有表面导体,
由所述陶瓷基板层中的陶瓷成分和所述表面导体中的玻璃成分发生反应而形成的反应相,在所述陶瓷基板层和所述表面导体的界面上析出。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板,其特征在于:
至少与所述表面导体接触的陶瓷基板层由以Al2O3作为充填成分的玻璃陶瓷形成,同时所述表面导体含有Zn作为玻璃成分,
含有ZnAl2O4作为所述反应相。
3.根据权利要求2所述的多层陶瓷基板,其特征在于:
在与所述表面导体接触的陶瓷基板层中至少与表面导体接触的部分的Al2O3含量为32体积%以上、40体积%以下。
4.根据权利要求2所记述的多层陶瓷基板,其特征在于:
在与所述表面导体接触的陶瓷基板层中至少与表面导体接触的部分的Al2O3含量大于其他部分的Al2O3含量。
5.根据权利要求3所记述的多层陶瓷基板,其特征在于:
在与所述表面导体接触的陶瓷基板层中至少与表面导体接触的部分的Al2O3含量大于其他部分的Al2O3含量。
6.根据权利要求4所记述的多层陶瓷基板,其特征在于:
在与所述表面导体接触的陶瓷基板层中,与表面导体接触的一侧的面上具有Al2O3含量为32体积%以上、40体积%以下的表面玻璃陶瓷层。
7.根据权利要求5所记述的多层陶瓷基板,其特征在于:
在与所述表面导体相连接的陶瓷基板层中,与表面导体接触的一侧的面上具有Al2O3含量为32体积%以上、40体积%以下的表面玻璃陶瓷层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710307201.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双卡移动电话找网优化方法
- 下一篇:制造半导体器件的方法