[发明专利]压力传感器膜片及其制造方法无效
申请号: | 200710307264.1 | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN101264859A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | R·W·克拉多克;P·K·金尼尔 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;G01L9/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;刘华联 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压力传感器 膜片 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造压力传感器膜片的方法,所述方法包括:
在第一基底的第一表面中蚀刻出一条或多条沟槽;
使所述沟槽变得具有抗蚀刻性;以及
在所述第一基底的相反的第二表面中蚀刻出空腔,从而限定由框架支撑的膜片,所述膜片具有一个或多个用来加强所述隔膜的中空凸台。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述一条或多条沟槽进行的蚀刻包括干式蚀刻和湿式蚀刻。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述一条或多条沟槽具有成角度倾斜的侧壁。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述一条或多条沟槽具有平的底部。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使所述沟槽变得具有抗蚀刻性的步骤包括,给所述沟槽上涂料并对所述沟槽进行扩散处理,或向所述沟槽添加抗蚀刻材料。
6.如权利要求1所述的方法,还包括向所述沟槽添加材料的步骤。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述沟槽中生长多晶硅或外延硅层。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,第二基底结合在所述第一基底的第一表面上。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第二基底被熔合结合到所述第一基底的第一表面上。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述空腔进行的蚀刻包括干式蚀刻或湿式蚀刻。
11.一种制造压力传感器膜片的方法,所述方法包括:
在第一基底的第一表面中蚀刻出一条或多条沟槽;
使所述沟槽和所述第一表面变得具有抗蚀刻性;以及
在所述第一基底的相反的第二表面中蚀刻出空腔,从而限定由框架支撑的膜片,所述膜片具有一个或多个用来加强所述隔膜的中空凸台。
12.一种制造压力传感器膜片的方法,所述方法包括:
在第一基底的第一表面中蚀刻一条或多条沟槽;
使所述沟槽变得具有抗蚀刻性;
将第二基底结合到所述第一表面上,以及
在所述第一基底的相反的第二表面中蚀刻出空腔,从而限定由框架支撑的膜片,所述膜片具有一个或多个用来加强所述隔膜的中空凸台。
13.一种制造膜片的方法,所述方法包括:
在第一基底的第一表面中形成一条或多条沟槽;
使所述沟槽变得具有抗蚀刻性;以及
在所述第一基底的相反的第二表面中形成空腔,从而限定由框架支撑的膜片,所述膜片具有一个或多个用来加强所述隔膜的中空凸台。
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