[发明专利]压力传感器膜片及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710307264.1 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101264859A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: R·W·克拉多克;P·K·金尼尔 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G01L9/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;刘华联
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 压力传感器 膜片 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造压力传感器膜片的方法,所述方法包括:

在第一基底的第一表面中蚀刻出一条或多条沟槽;

使所述沟槽变得具有抗蚀刻性;以及

在所述第一基底的相反的第二表面中蚀刻出空腔,从而限定由框架支撑的膜片,所述膜片具有一个或多个用来加强所述隔膜的中空凸台。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述一条或多条沟槽进行的蚀刻包括干式蚀刻和湿式蚀刻。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述一条或多条沟槽具有成角度倾斜的侧壁。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述一条或多条沟槽具有平的底部。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使所述沟槽变得具有抗蚀刻性的步骤包括,给所述沟槽上涂料并对所述沟槽进行扩散处理,或向所述沟槽添加抗蚀刻材料。

6.如权利要求1所述的方法,还包括向所述沟槽添加材料的步骤。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述沟槽中生长多晶硅或外延硅层。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,第二基底结合在所述第一基底的第一表面上。

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第二基底被熔合结合到所述第一基底的第一表面上。

10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述空腔进行的蚀刻包括干式蚀刻或湿式蚀刻。

11.一种制造压力传感器膜片的方法,所述方法包括:

在第一基底的第一表面中蚀刻出一条或多条沟槽;

使所述沟槽和所述第一表面变得具有抗蚀刻性;以及

在所述第一基底的相反的第二表面中蚀刻出空腔,从而限定由框架支撑的膜片,所述膜片具有一个或多个用来加强所述隔膜的中空凸台。

12.一种制造压力传感器膜片的方法,所述方法包括:

在第一基底的第一表面中蚀刻一条或多条沟槽;

使所述沟槽变得具有抗蚀刻性;

将第二基底结合到所述第一表面上,以及

在所述第一基底的相反的第二表面中蚀刻出空腔,从而限定由框架支撑的膜片,所述膜片具有一个或多个用来加强所述隔膜的中空凸台。

13.一种制造膜片的方法,所述方法包括:

在第一基底的第一表面中形成一条或多条沟槽;

使所述沟槽变得具有抗蚀刻性;以及

在所述第一基底的相反的第二表面中形成空腔,从而限定由框架支撑的膜片,所述膜片具有一个或多个用来加强所述隔膜的中空凸台。

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