[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710307437.X | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101471413A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 姚久琳;徐大正 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波;陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光元件，包含：
一半导体叠层，具有包含一粗化表面的表面；以及
一电极层，形成于该半导体叠层的该表面上；
其中，该粗化表面包含一第一粗化表面型态及一第二粗化表面型态， 其中该第二粗化表面型态大致邻近于该电极层且与该电极层的交界具有一 外斜的剖面，该第二粗化表面型态低于该第一粗化表面型态，且该第二粗 化表面型态的粗化尺寸大于该第一粗化表面型态的粗化尺寸。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二粗化表面型态大致环绕 该电极层。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中该电极层包含一延伸部，该第 二粗化表面型态大致邻近于该延伸部。
4.如权利要求1所述的发光元件，包含一欧姆接触层，介于该电极层 及该半导体叠层之间。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一粗化表面型态是随机均 匀分布的凹凸表面。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二粗化表面型态为一波浪表 面。
7.如权利要求1所述的发光元件，其中该电极层包含锗金合金。
8.如权利要求1所述的发光元件，其中该半导体叠层包含AlGaInP或 AlInGaN为主的材料。
9.如权利要求1所述的发光元件，更包含一基板。
10.如权利要求9所述的发光元件，更包含一导电连结层连结该半导体 叠层及该基板。
11.如权利要求9所述的发光元件，更包含一透明黏着层黏着该半导体 叠层及该基板。
12.如权利要求11所述的发光元件，其中该透明黏着层为一不导电层。
13.一种形成半导体发光元件的制造方法，依序包含：
形成一半导体叠层于一基板上；
在该半导体叠层的一表面的一部分上形成一电极层，并裸露出该半导 体叠层的该表面的其他部分；
热处理该半导体叠层及该电极层；以及
以一蚀刻液湿蚀刻该半导体叠层的该表面的裸露部分，使形成一粗化 表面，其包含一第一粗化表面型态及一第二粗化表面型态，其中该第二粗 化表面型态大致邻近于该电极层形成且与该电极层的交界具有一外斜的剖 面，该第二粗化表面型态低于该第一粗化表面型态，且该第二粗化表面型 态的粗化尺寸大于该第一粗化表面型态的粗化尺寸。
14.如权利要求13所述的制造方法，其中该第一粗化表面型态及该第 二粗化表面型态为同时形成。
15.如权利要求13所述的制造方法，其中该蚀刻液包含氢氟酸及硝酸。
16.如权利要求15所述的制造方法，其中该蚀刻液包含醋酸。
17.如权利要求15所述的制造方法，其中该蚀刻液包含碘。
18.如权利要求13所述的制造方法，其中该湿蚀刻步骤是于温度介于 室温至60℃之下进行。
19.如权利要求13所述的制造方法，其中该热处理包含快速热退火工 艺。
20.如权利要求13所述的制造方法，更包含形成一导电连结层于该基 板及该半导体叠层之间。
21.如权利要求13所述的制造方法，更包含形成一透明黏着层于该基 板及该半导体叠层之间。
22.如权利要求21所述的制造方法，其中该透明黏着层为一不导电层。
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