[发明专利]图像传感器IC有效
申请号: | 200710307610.6 | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101295727A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 鹰巢博昭 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;刘宗杰 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 ic | ||
1.一种具有光电二极管的图像传感器IC,包括:
硅衬底;
多个像素区域,其中每个像素区域都具有光电二极管之一,并且布置在该硅衬底上;
保护膜,布置在该多个像素区域上;以及
多个透光导体,每个透光导体都布置在保护膜的下表面上,并且布置成覆盖所述多个像素区域中的每一个,以及在形成所述保护膜之前所述多个透光导体全部被固定为相同电位使得多个像素区域的电位保持恒定,以形成具有基本均匀厚度和质量的所述保护膜。
2.根据权利要求1的图像传感器IC,其中该多个透光导体包括多晶硅薄膜。
3.根据权利要求1的图像传感器IC,其中该多个透光导体包括铟锡氧化物(ITO)薄膜。
4.根据权利要求2的图像传感器IC,其中该多晶硅薄膜的厚度为1000?或更小。
5.根据权利要求2的图像传感器IC,其中该多晶硅薄膜的厚度为500?或更小。
6.根据权利要求2的图像传感器IC,其中该多个透光导体电连接,以便保持与硅衬底的衬底电位相同的电位。
7. 根据权利要求3的图像传感器IC,其中该多个透光导体电连接,以保持与硅衬底的衬底电位相同的电位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的