[发明专利]用于制备稀土永磁体的方法有效

专利信息
申请号: 200710307635.6 申请日: 2007-11-16
公开(公告)号: CN101404195A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 中村元;广田晃一;美浓轮武久 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02;B22F3/10;B22F1/02;B22F9/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王长青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 制备 稀土 永磁体 方法
【权利要求书】:

1.一种制备稀土永磁体的方法,包括以下步骤: 

在R1aTbBcMdOeCfNg组合物的烧结磁体本体的表面上布置粉末,其中R1是稀土元素,它是Nd或Nd与选自如下的至少一种的组合:Sc、Y、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb和Lu使得R1包含至少50原子%的Nd,T是选自Fe和Co的至少一种元素,M是选自由Al、Cu、Zn、In、Si、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W组成的组中的至少一种元素,以合金为基础的原子百分比“a”至“g”的范围如下:12≤a≤17、5≤c≤11、0.01≤d≤11、0.1≤e≤4、0.05≤f≤3、0.01≤g≤1以及b为余量,并且a≥12.5+(e+f+g)×0.67-c×0.11,和0.7≤(e+f+g)≤4,所述粉末包含选自R2的氧化物、R3的氟化物和R4的氟氧化物中的至少一种化合物,其中R2、R3和R4的每一个是包含Dy和/或Tb的至少一种稀土元素;以及 

在真空中或在惰性气体中在等于或低于磁体本体烧结温度的温度下热处理在其表面上布置有粉末的磁体本体1分钟至100小时,以使得粉末中R2、R3和R4的至少一种被吸收在磁体本体中。 

2.权利要求1的方法,其中磁体本体的热处理重复至少两次。 

3.权利要求1的方法,还包括在热处理之后在更低的温度下进行时效处理。 

4.权利要求1的方法,其中R1包含至少10原子%的Pr。 

5.权利要求1的方法,其中T包含至少50原子%的Fe。 

6.权利要求1的方法,其中所述粉末具有至多100μm的平均粒度。 

7.权利要求1的方法,其中R2、R3和R4都包含至少10原子%的Dy和/或Tb。 

8.权利要求1的方法,其中所述粉末包含R3的氟化物和/或R4的氟氧化物,并且热处理使得氟与R3和/或R4一起被吸收在磁体本体中。 

9.权利要求8的方法,其中在包含R3的氟化物和/或R4的氟氧化物的所述粉末中,R3和/或R4包含至少10原子%的Dy和/或Tb,并且具有比在R1中Nd和Pr的总浓度低的Nd和Pr的总浓度。 

10.权利要求8的方法,其中包含R3的氟化物和/或R4的氟氧化物的所述粉末包含至少10wt%的结合的R3的氟化物以及R4的氟氧化物并且余量为选自由 R5的碳化物、氮化物、硼化物、硅化物、氧化物、氢氧化物和氢化物组成的组中的至少一种化合物,以及包含前述化合物至少一种的复合化合物,其中R5是选自包括Sc和Y的稀土元素的至少一种元素。 

11.权利要求1的方法,其中布置步骤包括将分散在含水溶剂或有机溶剂中的所述粉末的浆料提供到磁体本体表面。 

12.权利要求1的方法,还包括在将粉末布置在磁体本体上之前使用选自碱、酸和有机溶剂的至少一种试剂洗涤磁体本体。 

13.权利要求1的方法,还包括在将粉末布置到磁体本体上之前喷丸处理磁体本体用于除去表面层。 

14.权利要求1的方法,还包括在热处理之后对磁体本体进行机械加工、镀覆或涂漆。 

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