[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法和便携设备无效
申请号: | 200710307782.3 | 申请日: | 2007-09-29 |
公开(公告)号: | CN101231963A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 冈山芳央 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L23/488;H01L23/13 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 便携 设备 | ||
1.一种半导体模块的制造方法,包括:
第一工序,形成表面设置有电路元件和与该电路元件电连接的电极的半导体基板;
第二工序,形成具有从主表面突出设置的突起部和设置在该主表面的第一沟槽部的金属板;
第三工序,其经由绝缘层压接所述金属板和所述半导体基板,通过使所述突起部贯通所述绝缘层而电连接所述突起部和所述电极。
2.如权利要求1所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,在所述半导体基板上形成多个所述电路元件,所述第一沟槽部形成在于多个所述电路元件之间进行划分而设置的划线区域中。
3.如权利要求2所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,在所述电路元件的边缘部形成有所述电极。
4.如权利要求1所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,还包括第四工序,通过加工所述金属板而形成具有规定线路/空间图形的布线层,
与所述布线层的空间图形相对应地形成所述第一沟槽部,通过从背面侧将所述金属板薄膜化而形成所述布线层。
5.如权利要求1~3中任一项所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,贯通所述金属板形成所述第一沟槽部。
6.如权利要求1~5中任一项所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,在所述第一工序的所述半导体基板中,在其表面进一步形成第二沟槽部。
7.一种半导体模块的制造方法,包括:
第一工序,形成表面设置有电路元件和与该电路元件电连接的电极、以及沟槽部的半导体基板;
第二工序,形成具有突起部的金属板;
第三工序,经由绝缘层压接所述金属板和所述半导体基板,通过使所述突起部贯通所述绝缘层而电连接所述突起部和所述电极。
8.一种半导体模块,其特征在于,包括:
一体地设置有从主表面突出的突起部的布线层;
设置有与所述突起部电连接的元件电极的电路元件;
设置在所述布线层和所述电路元件之间的绝缘层,
所述绝缘层在所述主表面具有沟槽部,所述绝缘层填充到所述沟槽部中。
9.如权利要求8所述的半导体模块,其特征在于,所述布线层和所述突起部由轧制金属形成。
10.如权利要求8或9所述的半导体模块,其特征在于,所述绝缘层由通过加压产生塑性流动的绝缘树脂形成。
11.如权利要求8~10中任一项所述的半导体模块,其特征在于,在所述布线层的所述主表面形成有微细凹凸。
12.如权利要求8~11中任一项所述的半导体模块,其特征在于,沿着所述突起部的周围设置有所述沟槽部。
13.一种半导体模块,其特征在于,包括:
一体地设置有从主表面突出的突起部的布线层;
设置有与所述突起部电连接的元件电极的电路元件;
设置在所述布线层和所述电路元件之间的绝缘层;
设置在所述布线层的所述主表面和所述绝缘层之间的中间层,
所述中间层在与所述绝缘层接触的面上具有沟槽部,所述绝缘层填充在所述沟槽部中。
14.一种便携设备,其特征在于,包括权利要求8~13中任一项所述的半导体模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造