[发明专利]用于等离子体增强化学汽相沉积的方法和设备

权利要求书

1.一种利用等离子体增强汽相沉积来涂覆基板的方法，其中至少抽空待涂基板的基板表面的部分环境并且容纳进具有用于涂层的起始物质的处理气体，其中所述涂层是通过在充满所述处理气体的基板表面的环境中射入电磁能点燃等离子体来沉积的，

其中，所述电磁能是以具有时间上隔开第一间断的多个脉冲的多个脉冲序列的形式而射入的，所述多个脉冲序列优选地为微波或射频脉冲序列，其中所射入的电磁能在所述第一间断内关断，并且其中，所述多个脉冲序列之间的间断比一个脉冲序列中的脉冲之间的第一间断长至少3倍，优选地至少5倍。

2.如权利要求1所述的方法，其中，测量单个脉冲的脉冲功率或取决于该脉冲功率的至少一个变量并将其关于时间进行积分，其中，如果积分出的脉冲功率超出了预定的阈值则通过控制装置来终止该脉冲序列，并且在间断后开始下一个脉冲序列。

3.如前述权利要求所述的方法，其中，测量单个脉冲的在用来耦合入电磁能的波导管处耦合出的场强并对其进行积分。

4.如前述两个权利要求之一所述的方法，其中，测量所述等离子体的发光强度并将其关于时间进行积分，其中，如果关于时间积分出的光发射超出了预定的阈值，则终止该脉冲序列。

5.如前述权利要求之一所述的方法，其中，测量单个脉冲的脉冲功率或取决于该脉冲功率的至少一个变量并将其关于时间进行积分，其中通过控制装置基于测得的变量来调整脉冲序列之间的间断的长度。

6.如前述权利要求之一所述的方法，其中，检测基板温度，并且基于检测到的温度值来调整脉冲序列的长度或脉冲序列之间的间断的长度与脉冲序列的长度的比率。

7.如前述权利要求所述的方法，其中，如果所述基板温度处于预定值以上，则缩短脉冲序列的长度或者减小脉冲序列的长度与脉冲序列之间的脉冲间断的长度的比率；并且/或者如果所述基板温度处于预定值以下，则延长脉冲序列的长度或增大脉冲序列的长度与脉冲序列之间的脉冲间断的长度的比率。

8.如前述权利要求之一所述的方法，其中，所述脉冲功率是以非调节的方式耦合入的。

9.如前述权利要求之一所述的方法，其中，脉冲序列中的脉冲具有比一个脉冲序列的持续时间的1/10更短的持续时间。

10.如前述权利要求之一所述的方法，其中，脉冲序列中的脉冲的持续时间至多5微秒，优选地至多2微秒。

11.一种利用等离子体增强汽相沉积、尤其是利用前述权利要求之一所述的方法来涂覆基板的设备，该设备包括具有如下装置的至少一个反应器，所述装置用于至少抽空待涂基板的基板表面的部分环境，并且容纳进具有用于涂层的起始物质的处理气体，并且

其中，所述设备具有用于脉冲电磁能的源，优选地是以脉冲方式工作的微波或射频源，该源耦接到所述反应器，以通过在充满着所述处理气体的基板表面的环境中射入电磁能来点燃等离子体以及沉积涂层，

其中，所述设备具有如下的控制装置，该控制装置按照以具有时间上隔开第一间断的多个脉冲的多个脉冲序列的形式射入电磁能的方式来控制所述源，其中，所述源在第一间断内不工作，并且其中，所述脉冲序列之间的间断比一个脉冲序列中的脉冲之间的间断长至少3倍，优选地至少5倍。

12.如前述权利要求所述的设备，其特征在于包括一测量装置，该测量装置测量脉冲功率或取决于该脉冲功率的至少一个变量，其中，所述控制装置被设计为将单个脉冲的测得值关于时间进行积分，如果积分出的脉冲功率超出预定的阈值则终止所述脉冲序列，并且在预定长度的间断之后，开始下一个脉冲序列。

13.如前述权利要求所述的设备，其中，所述测量装置包括一传感器，该传感器测量在用于耦合入所述电磁能的波导管处耦合出的场强。

14.如前述两个权利要求之一所述的设备，其特征在于包括用于测量等离子体的光强的装置，其中，所述控制装置被设置为在关于时间积分出的发光强度超出了预定的阈值的情况下终止脉冲序列。