[发明专利]图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，具有像素区和外围电路区；

层间介电层，具有形成在所述半导体衬底上的金属引线和焊盘；

下电极，选择性地形成在所述金属引线上；

光电二极管，形成在所述像素区的所述层间介电层上；

上电极，形成在所述光电二极管上；

钝化层，形成在所述上电极上，所述钝化层配有第一开口孔和第二开口孔，所述第一开口孔和第二开口孔分别暴露出所述上电极和外围电路区上的下电极；以及

形成在所述钝化层的所述第一开口孔和所述第二开口孔上的上引线，所述上引线连接至所述像素区的上电极，其中，所述上引线延伸形成以将所述像素区的上电极连接至所述外围电路区的下电极，并且所述上引线形成为围绕所述光电二极管的侧部区域。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

形成在所述上电极上的滤色片；以及

形成在所述滤色片上的保护膜。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管包括：

形成在所述像素区的所述层间介电层上的本征层；以及

形成在所述本征层上的导电层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管包括：

形成在所述像素区的所述层间介电层上的第一导电层；

形成在所述第一导电层上的本征层；以及

形成在所述本征层上的第二导电层。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电层具有围绕所述像素区的下电极的结构。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述上电极形成在所述光电二极管上和具有所述外围电路区的所述金属引线的所述层间介电层上。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述上电极形成为围绕所述光电二极管的上部和侧表面。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述钝化层由氧化膜和氮化膜至少之一形成。

9.一种图像传感器的制造方法，包括步骤：

在半导体衬底上形成像素区和外围电路区；

在所述半导体衬底上形成具有金属引线和焊盘的层间介电层；

在所述金属引线上选择性地形成下电极；

在所述像素区的所述层间介电层上形成光电二极管；

在所述光电二极管上形成上电极；

在所述上电极和所述层间介电层上形成钝化层；

形成暴露出所述钝化层上的部分上电极的第一开口孔和暴露出在外围电路区中钝化层上的下电极的第二开口孔；以及

在所述钝化层的所述第一开口孔和所述第二开口孔上形成上引线，其中，所述上引线延伸形成以将所述像素区的上电极连接至所述外围电路区的下电极，并且所述上引线形成为围绕所述光电二极管的侧部区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在除所述像素区的上引线之外的钝化层上形成滤色片；以及

在所述滤色片上形成保护层。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述钝化层由氧化膜和氮化膜至少之一形成。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括对所述钝化层执行热处理工艺。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述钝化层的热处理工艺是在H₂环境在200至250℃下执行的。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括在所述上电极和所述外围电路区的所述层间介电层的上部上形成钝化层。