[发明专利]彩色滤光片及其制造方法和液晶显示装置

权利要求书

1.一种彩色滤光片，其特征在于包括：

基板；

第一引线，形成在所述基板上；

光敏电阻片，以矩阵排列方式形成在所述基板上，所述光敏电阻片分别与所述第一引线间隔设置；

第一接触块，分别设置在每个所述光敏电阻片上；

第二接触块，分别设置在每个所述光敏电阻片上，且与所述第一接触块间隔设置；

黑矩阵，以矩阵排列方式形成在所述基板上，在所述黑矩阵覆盖所述第一接触块的位置形成有第一过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第二接触块的位置形成有第二过孔，且在所述黑矩阵覆盖所述第一引线的位置形成有第三过孔；

第二引线，形成在所述黑矩阵上，与所述第一引线垂直，并通过所述第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接；

跨接线，形成在所述黑矩阵上，通过所述第一过孔和第三过孔，分别连接同列的所述光敏电阻片上的第一接触块和所述第一引线；

彩色树脂，形成在所述黑矩阵之间。

2.根据权利要求1所述的彩色滤光片，其特征在于：所述光敏电阻片的材质为非晶硅。

3.根据权利要求2所述的彩色滤光片，其特征在于：所述第一接触块和第二接触块的材质为掺杂型非晶硅。

4.根据权利要求3所述的彩色滤光片，其特征在于：所述掺杂型非晶硅为掺杂有磷原子的非晶硅。

5.根据权利要求1～4所述的任一彩色滤光片，其特征在于：所述第一引线的材质为氧化铟锡或氧化锌。

6.根据权利要求1～4所述的任一彩色滤光片，其特征在于：所述第二引线和所述跨接线的材质为金属。

7.一种彩色滤光片制造方法，其特征在于包括：

步骤1、在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线，在基板上依次沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的光敏电阻片，所述光敏电阻片分别与所述第一引线间隔设置，并在每个所述光敏电阻片上形成间隔设置的第一接触块和第二接触块；

步骤2、在完成步骤1的基板上形成以矩阵方式排列的黑矩阵，在所述黑矩阵覆盖所述第一接触块的位置形成第一过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第二接触块的位置形成第二过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第一引线的位置形成第三过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺，在所述黑矩阵上形成与所述第一引线垂直的第二引线，所述第二引线通过所述第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接，同时在所述黑矩阵上形成跨接线，所述跨接线通过所述第一过孔和第三过孔分别连接同列的所述光敏电阻片上的第一接触块和第一引线；

步骤4、在完成步骤3的基板上形成位于所述黑矩阵之间的彩色树脂。

8.根据权利要求7所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于，所述步骤1具体为：

步骤111、在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线；

步骤112、在完成步骤111的基板上依次沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的光敏电阻片，所述光敏电阻片分别与所述第一引线间隔设置，并在每个所述光敏电阻片上形成间隔设置的第一接触块和第二接触块。

9.根据权利要求7所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于，所述步骤1具体为：

步骤121、在基板上依次沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的光敏电阻片，并在每个所述光敏电阻片上形成间隔设置的第一接触块和第二接触块；

步骤122、在完成步骤121的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线，所述第一引线分别与所述光敏电阻片间隔设置。

10.根据权利要求7或8或9所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于，所述形成光敏电阻片、第一接触块和第二接触块的步骤具体为：

步骤a1、在基板上沉积非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的光敏电阻片；

步骤a2、在完成步骤a1的基板上沉积掺杂型非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺在每个所述光敏电阻片上形成间隔设置的第一接触块和第二接触块。