[实用新型]一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置无效
| 申请号： | 200720016782.3 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN201132848Y | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;闻立时 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/54 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 电弧 离子镀 沉积 质量 薄膜 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置，其特征在于：双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间，与靶材和基体同轴放置，基体后放置增强磁场的发生装置。
2、按照权利要求1所述的装置，其特征在于：双层带孔挡板为带孔挡板I、带孔挡板II同轴平行放置，带孔挡板I、带孔挡板II上的孔相互错开，挡板之间的距离可调。
3、按照权利要求2所述的装置，其特征在于：双层带孔挡板为正多边形或者圆形，双层带孔挡板中的孔形状是圆形、方形、椭圆形或三角形，两层挡板中的孔形状一致。
4、按照权利要求1所述的装置，其特征在于：双层带孔挡板与靶材以及基体之间的距离可调，双层带孔挡板悬浮放置或固定在真空室壁上接地放置。
5、按照权利要求1所述的装置，其特征在于：基体后放置的增强磁场发生装置为增强磁场线圈，增强磁场线圈同靶材、双层带孔挡板同轴放置，线圈位置可调。
6、按照权利要求5所述的装置，其特征在于：增强磁场线圈形状是方形的或者圆形的。
7、按照权利要求5所述的装置，其特征在于：增强磁场线圈产生的磁场大小可调，磁场的极性可调；增强磁场线圈产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同，磁极按S-N-S-N或者N-S-N-S分布。
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